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一前言锗酸铋晶体(Bi_(12)GeO_(20),简称BGO),不仅是一种较好的电声材料,也是一种较好的电光材料。因此,BGO晶体不仅应用于微波声学,特别是表面波声学(如制作声表面波长延迟线,脉冲压缩滤波器等),又能应用于光学和量子电子学(如时-空光调制器,高灵敏度读-写体积全息照相储存器。掺杂BGO晶体可以代替KDP制作电光光阀,实现了电视显示。又如在BGO晶体上外延钛酸铋薄膜可作光波导等。目前,国外对BGO晶体的应用正在继续扩大。作为耦合棱镜材料,一般采用金红石(TiO_2)晶体,但由于该晶体 相似文献
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本文叙述了提拉法生长锗酸铋单晶(Bi_(12)GeO_(20),简称BGO)最佳工艺的选择.重点讨论了试验中遇到的温场、晶形控制、“云层”缺陷、加工易碎等技术关键及其解决办法.试验表明,采用小温梯加磁场的炉膛,在合适的拉速、晶体转速、坩埚转速配合下,用国产纯度为99.99%的氧化铋和99.999%的氧化锗作原料,沿[100]方向生长,成功地获得了尺寸为(20—25)×(20—25)×100毫米以上,外形较好、声学、压电性能与国外报导相符、位错密度低、不经退火,加工性能良好,适用于制作声表面波延迟线的BGO晶体. 相似文献
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