长波碲镉汞材料的低温退火

本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件，根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验，取得了满意的结果。对于０．７ｍｍ厚的样品，１９０～２２０℃下汞饱和等温退火５０～６０天可获得电学性能优良的ｎ型材料。７７Ｋ下载流子浓度ｎ＜５×１０１４ｃｍ－３，载流子迁移率μ＞１×１０５ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，少子寿命τ＞１μｓ。     

用加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长碲镉汞单晶

本文报导了将加速旋转坩埚技术布里奇曼法应用于碲镉汞单晶的生长工艺中,获得了性能优良的原生n型晶体。对于x值力0.19～0.22的φ12晶片,组份均匀性为±0.0025,77K下载流子浓度小于4×10~(14)cm~(-3),迁移率高达2.8×10~5cm~2/V·s     

相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜

根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单,外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法,成功地生长出ｘ ＝ ０－２１ ～０－２３,表面光亮,结构完整的碲镉汞液相外延膜。     

肉桂嗪的制备

肉桂嗪的学名为1-二苯甲基-4-肉桂基哌嗪(Ⅰ),是一种具有抗组氨作用的药物,并略有一些镇静作用。在六十年代初证实了它有改善脑血液循环的用途后,立刻引起了许多化学工作者和药物制造者的兴趣。在不长的时间内,先后出现了许多有关制备它的专利,这些报道中提出的方法大体上可分为三类:(1)以二苯甲基哌嗪(Ⅱ)为起始原料,如(1)和(2)     

Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９,０．２２）在室温下、２０ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明：它们分别在０．７～１．８ＧＰａ与８．６ＧＰａ左右以及在１．６ＧＰａ左右与８．３ＧＰａ左右发生了两次电子结构相变;分别在２ＧＰａ左右与８．６ＧＰａ以上以及在１．６ＧＰａ左右与８．３ＧＰａ以上发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞－圆筒式ｐ－Ｖ关系     

外延衬底用CdZnTe晶体进展

文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响ＣｄＺｎＴｅ晶体生长和晶体质量的因素，提出ＣｄＺｎＴｅ晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。     

双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Ф４０ｍｍ）、大单晶面积（４～１０ｃｍ２）、径向组分均匀（ｘ≤±０．００３）、光电性能良好（７７Ｋ：ｎｉ≤５×１０１４ｃｍ－３、μｉ≥１．５×１０ｓｃｍ２／Ｖ．ｓ、≥２μｓ；３００Ｋ：０．９ｍｍ厚的晶片透过率Ｔ≥１５％）的碲镉汞晶体。     

双相复合生长大直径（Φ40）碲镉汞晶体

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法）阐述了该方法的生长机理和生长过程，分析了生长过程了影响晶体生长的因素，总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长，低温梯度下慢速生长，生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Φ４０ｍｍ）大单晶面积（４－１０ｃｍ＾２）径向组分均匀（△ｘ≤±０．００３），光电性能良好（７７Ｋ，ｎｉ≤５×１０＾     

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

本文利用碲镉汞膺二元固液T-X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素,提出了存在的问题和改善的措施;认为在特定组分的固相线温度(相图中的B点)生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径40mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果(在S≈12cm2的晶片面积上,x＝0.218±0.003).