InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

6H-SiC同质外延层上Si1-yCy合金的生长

用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Si1-yCy合金薄膜表面平整, 晶粒大小均匀; XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2θ约为28.5°), 表明得到的合金薄膜晶体取向单一, 其晶体类型为4H型; 粗略估算, 合金薄膜中C含量约为3.7%。拉曼谱显示：随生长气源中的C/Si比的增加, Si1-yCy合金薄膜中替位式C含量逐渐增大, 当C/Si比达到一定值时, 合金薄膜中有间隙式C出现, 造成晶体缺陷, Si1-yCy合金薄膜晶体质量下降。     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

别汉棱镜的胶合工艺

本文主要介绍了别汉棱镜的胶合新工艺。与传统的工艺相比,由于别汉棱镜是由两块棱镜胶合在一起的,可以依赖于胶层来调整光轴偏,并且是连续可调的,不仅如此,还有操作方便,稳定性好,精度高等特点。     

AIN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.     

Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-x Gex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响.结果表明:Si1-x Gex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低.这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-x Gex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低.     

有机相直接进样ICP-OES快速测定车用汽油中微量硅（英文）

车用汽油样品用异辛烷溶剂适当比例稀释,直接进入电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)测定硅元素。考察了稀释溶剂及稀释比例、标准物质类型、样品冷却温度、汽油样品组成等因素对硅含量测定的影响。结果表明,汽油样品用异辛烷按1∶1的比例混溶,在雾化室冷却温度为-10℃时,直接进入ICP-OES测定硅含量效果最佳。在优化的工作条件下,该方法在0.1~10.0 mg·kg~(-1)硅含量范围内线性良好,线性相关系数达0.999 96,检出限为0.012 mg·kg~(-1),回收率在95.8%~98.4%之间,相对标准偏差小于3.0%。该法简便、快速、准确度高,适用于车用无铅汽油、车用乙醇汽油和低比例甲醇汽油中微量硅的快速检测。     

二氧化硒催化过氧化氢氧化萘丙醛制萘丙酸的研究

萘丙酸((±)-2-(6-甲氧基-2-萘基)-丙酸)的右旋体有解热镇痛特效,国内生产中由萘丙醛氧化成酸系采用多伦试剂,耗费大量硝酸银。我们采用过氧化氢作氧化剂,结果表明,制得的产品纯度高,而且成本低。     

基于全数字锁相环的基波频率测量算法

本文提出了一种用于电能计量芯片的基波频率测量算法.其创新点是从系统设计出发,把基波频率测量与电能计量中过采样ADC的梳状积分级联抽取滤波(以下简称CIC)过程相结合,利用CIC、正交去调鉴频器、PI调节器和基波频率—CIC抽取率转换器共同构成一个全数字锁相环(以下简称ADPLL).该锁相环可以有效地抑制输入信号中的直流...     

乙烯氧氯化催化剂动力学特征及其机理研究

本文得到氧氯化催化剂的转化率-空速关系曲线.由高空速到低空速和由低空速到高空速所测得的曲线差异较大,在高空速下催化剂活性衰减比低空速下快得多;其根源是催化剂的成份、结构和活性随反应气氛而变化.文中建议用络合-还原氧化机理来解释有关现象.此催化剂在一定温度和原料配比下有一“最宜空速”,在此空速下HCl转化率最高,低于此空速HCl转化率不但不增高反而降低,原因是生成的二氯乙烷再裂解生成HCl.副反应由乙烯氧化生成的CO和CO₂是并联反应,它是CuCl₂催化氧化的结果.