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1.
运用故障模式影响分析方法分析了某型号脉冲行波管的主要故障模式,针对此类故障模式采取了相应的改进措施,降低了产品主要故障出现概率,提高了脉冲行波管的可靠性,同时提升了真空电子器件的产品质量。  相似文献   
2.
利用二乙醇胺(DEA)对氯甲基化聚苯乙烯基树脂(PS-Cl)进行表面改性,制备了亲水性的PS-DEA树脂,然后以FeCl3·6H2O和FeSO4·7H2O为前驱体通过共沉淀法原位复合制备了磁性PS-DEA树脂.表征了磁性PS-DEA样品的形貌、结构以及磁性能,研究了PS-DEA和磁性PS-DEA对水溶液中Hg(Ⅱ)的吸附性能.结果表明,含有Fe3O4的磁性PS-DEA树脂的比饱和磁化强度(Ms)为0.92 A·m2/kg,磁性树脂中Fe3O4所占的质量分数为1.7%.用Langmuir等温模型拟合了PS-DEA和磁性PS-DEA对水溶液中Hg(Ⅱ)的吸附数据,计算得到最大吸附量分别为320.51和352.11 mg/g,这表明磁性纳米粒子的引入有利于提高树脂的吸附性能,这种磁性树脂有望作为吸附剂用于水处理领域.  相似文献   
3.
激光处理镀铬钢的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨了激光加热镀铬中碳合金钢快速渗铬的处理与机理,并对处理前后的试样进行了镀铬层或渗铬压抗高温造成裂纹扩展、剥落的性能、抗酸液腐蚀性能的对比试验。结果表明在适当的激光处理工艺条件下形成的熔渗层对改善镀铬钢的表面性能起重要作用。  相似文献   
4.
部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系   总被引:1,自引:0,他引:1  
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.  相似文献   
5.
激光处理镀铬钢组织与性能的变化   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文通过实验研究了镀铬炮钢在功率为2kW的激光束处理时组织与性能的变化。结果表明,光束中心部位镀层组织由柱状晶向等轴晶变化,缺陷减少,致密度提高,硬度降低,光束边缘部分,镀层缺陷集中。在适当的工艺参数条件下,可形成铬向基体的扩散层,其抗蚀性极高,利用电子探针对铬扩散层中Cr、Fe浓度比进行了分析,含Cr量最高达40%。结果还发现,激光处理镀铬钢的扩散层形成条件极为特殊,它是在表层铬未熔融而紧靠铬层的钢基体熔化状态下,即固-液两相界面附近反应的产物。  相似文献   
6.
基于DRFM的合成孔径雷达干扰技术研究   总被引:11,自引:2,他引:9  
本文首先对SAR成像原理进行简要介绍,在分析对SAR干扰的重要性和干扰的难点所在的基础上,提出了利用DRFM对SAR的点目标和分布式目标进行干扰,并在理论推导的基础上进行了仿真实验。仿真结果证明该方法能有效破坏SAR的成像效果。  相似文献   
7.
在T=35℃的条件下,以盐酸为酸化剂、[Co(NH3)6]2+为催化剂,催化乙炔氧化缩聚合成了β型线型碳.通过红外光谱、拉曼光谱和x-衍射对产物进行了结构表征.pH=6,六水氯化钴(Ⅱ)用量为0.4g时,β型线型碳的产率为61.18%,其中Co(Ⅱ)的含量为1.72%.TG和DTA分析结果表明:在227.4℃时,β型线...  相似文献   
8.
介绍了一种基于光纤的远程IO端口控制系统,通过将光纤、以太网与嵌入式系统结合,采用VB6.0上位机软件实现远程通讯测试,提出了一种远程控制IO端口数据双向传输的解决方案。本系统以单片机MCF5223X系列芯片为主控模块的核心,从IO端口采集数据后由光纤传输至远端主机,远端主机通过VB6.0分析处理数据,使得远端主机与IO端口数据实时双向传输,实现远程控制IO端口的功能。本文给出了系统结构图和软件测试通讯图。  相似文献   
9.
凭借密度泛函理论,采用不同基组对中性分子CrO2的基态( 3B1)以及阴离子CrO2‾的基态( 4B 1)进行几何优化和振动频率分析;应用量化计算得到的力常数及结构和光谱参数,基于推得的两维四模Franck-Condon重叠积分的代数表示,对CrO2 ( 3B1)-CrO2‾ ( 4B1) 的光脱附过程进行Franck-Condon分析和光谱模拟,理论上得到光电子能谱的谱线相对强度及振动结构分布,理论谱与实验测得的二氧化铬阴离子光电子能谱达到一致,并对光电子能谱的振动结构进行归属及热带分析;另外,在光谱模拟过程中通过迭代Franck-Condon分析过程,推得CrO2‾( 4B1)与CrO2( 3B1)平衡几何结构之差:ΔR(Cr-O)= 0.05Å,Δ(O-Cr-O)=12o.  相似文献   
10.
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