Terahertz radiation from pentacene organic diode at room temperature

We investigate terahertz radiation(T-rays) from a pentacene organic diode at room temperature. The quantum chemistry calculation for frequency-related Huang–Rhys factor of pentacene is also carried out. The results demonstrate that the T-rays can come from a bending vibration of pentacene skeleton after the energy of pentacene exciton transferring to the vibrational excited state via electron–phonon coupling. Frequency and natural bond orbital analytics of pentacene and its derivatives are performed in order to explain the result and develop new materials to get higher emission. This work provides a new way to produce T-rays with a simple device at room temperature.     

适合软件无线电片上系统的可重构处理器

在当今消费电子产品开发中日益凸显的一些问题，如市场要求和标准制定的不确定性、不可重复的工程开发成本、以及缺乏针对具体应用的IP资源等，都使得下一代嵌入式计算平台的完全可编程化成为必然趋势。然而，如果仅采用传统的可编程器件开发技术将很难达到低成本、高效率的要求。本文将介绍一种可集成于标准微处理器平台之上的可编程专用加速器解决方案。该解决方案不仅能够实现各种系统应用的开发，并且具有高度的实时性、灵活性、以及较低的成本。本文将介绍该可编程加速器的结构、编程方法及软件库的设计，并简要举例该方案在数字无线广播系统中的应用。     

新型脉宽调制放大器SA18

SA18是美国Apex Microtechnology公司新推出的一种性能优良的新型脉宽调制放大器，文中对SA18脉宽调制放大器芯片进行了详细介绍，并对其性能及其使用做出了具体分析。[编者按]     

GM(1,1)的周期修正模型及其在泉水流量预测中的应用

本文阐述了 GM( 1 ,1 )的残差周期修正模型 ,并将它应用于山西神头泉的流量预测中 ,建立了神头泉流量的 GM( 1 ,1 )周期修正模型 ,对其流量进行了预测 ,为神头泉域岩溶水资源开发利用和保护提供了科学依据     

Belden CDT推出防侵入式连接器

Belden CDT网络部近日宣布推出新的防侵入式Optimax LC现场安装光纤连接器家族。此防侵入式Optimax LC连接器属于Belden IBDN FiberExpress光纤布线解决方案的一部分，是对最近推出的FiberExpress防侵入式LC系统的一个重要的补充。对于要求整系统防侵入，并且可在现场可靠地安装光纤布线系统．Optimax LC连接器家族将满足其需要。     

凸合成模糊对策的模糊稳定集

本建立了凸合成模糊对策的模型，并得到了凸合成模糊对策的模糊稳定集，可由子对策的模糊稳定集表达出来。从而解决了凸合成模糊对策的解的结构问题。     

非均匀网格时域伪谱算法在超宽带技术中的应用

 与传统时域有限差分算法相比，采用以伪谱方法离散Maxwell微分方程为基础的时域伪谱(PSTD)算法计算大的电尺度电磁场时域问题，将大大提高计算效率，降低内存需求。为了拓宽PSTD算法的应用，近年来，基于网格插值方法的非均匀时域伪谱算法得到了发展。研究的重点是算法中非均匀网格技术的实现及其在时域瞬态脉冲电磁场模拟和高功率超宽带脉冲技术方面的应用。以高斯脉冲为激励源，用该算法计算了多层介质的反射和透射，并通过超宽带脉冲穿墙实验对这一方法的应用进行了验证。模拟和实验结果具有较好的一致性。     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。