GaAs阳极氧化及其在外延材料测试中的应用

<正>GaAs阳极氧化技术已日益广泛地应用于半导体工艺.这种氧化技术的关键是选择适当的电解质.选择电解质时要考虑如下要求:在相同的氧化条件下,电解质必须具有相同的化学和电学特性;氧化膜在空气中存放必须不改变其化学稳定性;在阳极氧化中,氧化膜的生长速度远大于溶解速度.实验证实,对于GaAs阳极氧化,选用3%的酒石酸溶液和乙二醇(其体积比为1:2,pH值为3)能满足上述要求.GaAs阳极氧化的本质是将GaAs片作为阳极,铂片作为阴极,一起浸入电解质中,氧化时,Ga和As生成带正电荷的离子,在外电场的作用下朝着氧化膜-电解质交界面的方向运动,并且在阳极与氧生成无定形的Ga_2O_3和As_2O_3混合物.     

具有混合指数索赔分布的经典复合泊松风险模型中的分红问题

本文研究了具有某混合指数索赔分布的经典复合泊松风险模型中的分红问题.利用随机控制理论,在无界分红强度的假设下,给出了值函数的显式表达式和相应的最优分红策略.推广了文献[4]的结果.     

AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量

本文介绍了连续波电光检测法(CWEOP—continuous wave electro-optic probing)应用于AlGaAs/GaAs异质结构材料均匀性测量的原理、实验装置和实验结果。扫描电子显微镜电压衬度技术也用于观察测量样片,比较两者的结果发现有较好的对照。最后,讨论了实验结果,并对方法的应用作了展望。     

数字AGC与捕获联合实现的直接序列扩频解调结构

本文针对直接序列扩频（Direct Sequence Spread Spectrum,DSSS）系统中自动增益控制（Automatic Gain Control,AGC）及捕获这两个基带信号处理必不可少的模块,提出一种数字AGC与捕获联合实现的解调结构。该联合解调结构能够利用数字AGC模块产生的增益控制系数同时调整接收信号的幅度以及捕获模块的判决门限。相较于固定门限判决算法,该结构在不增加实现复杂度的前提下,虚警概率性能提高不小于5dB,单次捕获概率性能提高0.6dB。     

采用电化学法测量Ga_xIn_(1-x)As和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y的掺杂浓度分布

研究了InP掺杂浓度分布,确认测量系统的可信性.在多元材料生长中,组分控制重复性欠佳的情况下,根据每片材料的C~(-2)-V特性测出内建电势V_D,可以得出接近于材料实际的掺杂浓度分布.测得掺杂浓度在10~(16)cm~(-3)的Ga_(0.47)In_(0.53)As的V_D约0.3V.结果表明,用作长波长的光探测器的N型三元层掺杂分布平坦.闭管锌扩散形成的P-N结为突变结型.