Eu3+掺杂铌酸盐玻璃的光谱性质

研究了Eu^3 掺杂铌磷与铌硅系列玻璃的发射光谱，声子边带谱及^5D0能级寿命，计算了样品的强度参数。随着Nb2O5浓度的增加，Eu-O键强增大，共价性增强，Eu^3 的局域环境对称性降低，电－声子耦合增强，^5D0能级的无辐射过程加快，寿命变短，温度猝灭加剧。研究了从77－690K铌磷与铌硅系列玻璃中Eu^3 离子在488nm激光激发下的变温荧光发射特性，求出了温度猝灭速率。分析了发光强度增强与减弱的原因，即热布居与无辐射过程随温度的变化关系，研究了谱线宽度与峰值位置随温度的变化关系。     

一种占空比可调的高速电平转换电路

提出一种占空比可调的高速电平转换电路,能够将频率高达1.33 GHz的低电压域信号提升至高电压域输出。在传统电平转换电路的基础上,增加了占空比调节电路,使得电路工作在不同I/O域时,通过调整接入的PMOS管数量来间接调整控制管的宽长比,进而实现占空比可调。增加了快速响应电路,引入首尾相接的反相器组,通过正反馈功能,加速实现电平转换。基于Global Foundry 14 nm CMOS工艺进行电路设计,采用SPECTRE软件进行仿真。仿真结果表明,该电路能够实现从0.9 V核心电压到2.5 V I/O电压的稳定转换,传播延时为225 ps,占空比为49.63%。当高电压域电压变换为1.8 V后,通过占空比调节电路,使占空比仍可保持在50%左右。     

低失调二阶曲率补偿的带隙电压基准源设计

基于斩波运算放大器的曲率补偿CMOS带隙电压基准源电路,采用了折叠式的一阶放大器,较二阶结构线路简单,功耗低,版图面积小,并能很好地满足增益要求.采用二阶电流补偿进行曲率补偿,使带隙电压基准源能达到更好的温度系数,且系统稳定.应用0.5μm CMOS Spice模型进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,输出电压为1.17V,在-20℃至120℃温度下,温度系数为4.7ppm/℃.该基准电压可根据工艺和内部电阻元件选取的不同获得不同电压值,其温度范围能够满足实际工作环境的需要.     

Eu~(3+)掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu3+掺杂铌硅玻璃的5D0发射光谱,其激发谱中7F0 5D2声子边带,荧光窄化谱及5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示5D0 7F2 5D0 7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大,表明材料对称性降低,Eu-O键强增加,共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小,同样表明Eu-O键的距离减小,键强增加。随着Nb2O5的浓度增加,电 声子耦合增强,5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短。     

Eu^3＋掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu^3 掺杂铌硅玻璃的^5Do发射光谱，其激发谱中^7Fo-^5D2声子边带，荧光窄化谱及^5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示^5D0-^7F2／^5D0-^7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大．表明材料对称性降低．Eu-O键强增加，共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小，同样表明Eu-O键的距离减小，键强增加。随着Nb2O5的浓度增加。电-声子耦合增强，^5D0能级的无辐射过程加快，寿命变短。     

Preparation and optical spectroscopy of phosphate glasses containing divalent europium ions

P2O5.BaO.Na2O.K2O glasses doped with various content of Eu2O3 were prepared using high temperature melting method, and the Eu2+ ions in the phosphate glasses were obtained with the aid of the reductive action of silicon powder. The fabricating conditions, fluorescence, excitation spectra of the glasses were then studied. The glasses containing europium show a broad emission band at 450 nm and sharp bands from 580 to 650 nm, and the co-existence of Eu2+ and Eu3+ is identified. Also, a good glass with a dominant proportion and large quantity of Eu2+ ions can be obtained by the reductive action of silicon powder and proper processing.     

安全SOC芯片哈希算法多类型复用IP核设计

设计了可兼容SHA-1、SHA-224、SHA-256三种算法的IP核.在深入研究算法,对三种算法进行改进和重新设计,加快了运算速度、提高了运算核性能.体现出节省面积,资源优化,移植性好,满足使用不同密码算法用户多层级安全要求和集成度优化的优势.已在多款SOC芯片中作为数字签名的IP核使用,支持双复位、中断以及低功耗模式,运算支持中途读写操作.     

基于迟滞比较器的过热保护电路设计

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。     

基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究

为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂-低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schrödinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的输运模型,该模型可实现场效应晶体管的输运性质与碳纳米管手性指数的对接. 利用该模型研究了单HALO双LDD 掺杂结构对碳纳米管场效应晶体管输运特性的影响.对比分析表明,这种非均匀掺杂结构的场效应管同本征碳纳米管沟道场效应晶体管相比,具有更低的泄漏电流、更大的电流开关比、更小的亚阈区栅电压摆幅,表明其具有更好的栅控能力; 具有更小的漏源电导,更适合应用于模拟集成电路中;具有更小的阈值电压漂移,表明更能抑制短沟道效应. 同本征沟道碳纳米管场效应晶体管相比,这种非均匀掺杂碳纳米管场效应晶体管在沟道区靠近源端位置,电场强度增大, 有利于增大电子的传输速率;在沟道区靠近漏端位置,电场强度减小,更有利于抑制热电子效应.     

一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器

设计了一种具有上电启动功能的差分环形压控振荡器(VCO),该电路可作为时钟产生模块应用于SoC中的高速锁相环(PLL)。该VCO采用全差分延迟结构,可更好地抑制来自电源的共模噪声。增加了使控制电压变化可控的上电启动电路,便于控制PLL中环路开启次序,缩短PLL锁定时间,为延迟单元提供适当的初始偏置和起振条件。基于GF 28 nm标准CMOS工艺进行电路设计、仿真和版图设计。仿真结果表明,该VCO具有良好的起振可靠性和稳定性,输出频率调谐范围为0.65~3.9 GHz。在1 V电源电压、1.625 GHz中心频率时,相位噪声为-80.44 dBc/Hz@1 MHz,功耗为6.6 mW。应用该VCO的PLL的测试结果表明,锁定时间为1.6 μs,频率调谐范围和锁定时间均优于对比文献。