一种新型的陷波天线

设计了一种新型的超宽带天线,具有小型化,2.0~10.6GHz的工作带宽及全向性的特点。基于该超宽带天线提出了一种新的实现陷波特性的方法,在天线的地板上添加一个近似半圆的谐振单元,该单元与辐射部分通过一个通孔相连,并且所加的结构对原始超宽带天线的其他特性影响很小。同时给出了该方法的等效电路。仿真与实测结构均表明该超宽带天线驻波比(VSWR)小于2的阻抗带宽是2.0~10.6GHz,天线在5.0~5.9GHz处有明显的陷波特性,很好的覆盖了无线局域网(WLAN)(5.125~5.85GHz)的工作频段。可以解决超宽带通信频段与WLAN间的电磁干扰问题,实现频谱兼容。     

铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系

铝合金中经常会引入一些第二相来改善其性能,第二相由于和铝基体的电位差不同,将会对铝合金的局部腐蚀产生重大的影响.为了揭示铝合金腐蚀的物理本质,本文利用基于密度泛函理论第一性原理的计算方法,详细计算了铝合金中一些主要第二相(Al_2Cu、Al_3Ti和Al_7Cu_2Fe)的多种晶面的电子功函数,分析了电子从各个晶面逸出的难易,求得了第二相与Al基体的本征电势差,我们发现不同的晶面暴露在合金最外层,会显著地影响本征电势差;即便是同一晶面,暴露在最外层的原子种类和构型不同,对腐蚀的影响也不一样.从电子的层面解释了电偶腐蚀发生的原因.     

大角度Cu晶界在升温、急冷条件下晶界结构的分子动力学研究

应用分子动力学方法模拟了大角度重位点阵数Σ=5（310）/［001］对称倾斜Cu 晶界在被升温、降温到300,800和1100 K时的晶界结构. 结果表明，随着温度的升高晶界区域的结构发生变化.在远低于块体熔点温度时，晶界就已经发生了预熔化，在晶界区域存在着晶体-熔体共存的现象. 通过对高温晶界的急冷处理，改变了晶界处的原子结构. 关键词： 分子动力学 晶界 熔化 凝固     

InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。     

无线传感器网络中协作ARQ协议能量效率分析及优化

文章研究了无线传感器网络中协作自动请求重传（Cooperative Automatic Repeat Request, CARQ）协议的能量效率及其优化问题。定义协议的能量效率为单位能耗所支持的分组成功传输的个数,导出了CARQ协议和传统ARQ协议的能量效率表达式以及CARQ协议相对ARQ协议的能效增益表达式,依此对两协议的能量效率进行了仿真研究,发现协作节点的位置对协议的能量效率有重要影响,当通信距离大于“门限距离”时,CARQ协议的能量效率才高于传统ARQ协议能效;进而提出了一种离散优化算法,通过优化调制水平,大大提高了CARQ协议的能效及能效增益。      

Nb掺杂对γ-TiAl抗氧化能力影响的第一性原理研究

添加Nb被证实是提高TiAl合金抗氧化能力最有效的途径之一,但对于其机理仍然存在一些相互矛盾的解释.运用第一性原理方法对γ-TiAl氧化过程中存在的几种重要点缺陷杂质进行了系统的研究.在确定杂质的稳定结构基础之上,研究发现：γ-TiAl中Nb掺杂的形成能随着含量的增加而升高,导致γ-TiAl相的稳定性降低,对抗氧化性能造成不利影响;而间隙O和Ti空位的形成能随Nb掺杂量的增加而显著升高,因此Nb能有效地降低氧扩散及空位缺陷的进入,从而提高γ-TiAl的抗氧化性能;Nb掺杂对降低杂质含量的作用存在明显的局域特性,是一种近程作用,因此Nb在γ-TiAl中的作用与其含量和分布有关. 关键词： γ-TiAl 高温氧化 Nb掺杂 形成能     

Mg_(32)(Al,Zn)_(49)合金准晶结构及向晶体转化过程的研究

我们通过用电子衍射和高分辨电子显微术对Mg_(32)(Al,Z_n)_(49)合金准晶I相及相应晶体R相结构的研究对比,提出了此合金准晶I相的双三十面体原子团基本结构单元的随机准垛结构模型。进一步,用此随机准垛结构模型分析了合金处于准晶态与晶态之间过渡状态的内部结构,研究了准晶I相到晶体R相的转化过程。最后,对准晶态的结构特性进行了探讨。     

A molecular dynamics study of the structural change differences between Au225 and Au369 clusters on MgO surfaces at low temperature

The differences in structural change between Au 225 and Au 369 clusters with their(111) facets supported on MgO(100) surfaces at 5 K are studied by using molecular-dynamics simulations with the atomic interchange potentials of the Au/MgO interface.The parameters are obtained from the ab initio energies using the Chen-Mo¨bius inversion method.Analyses of the pair distribution functions show that the two Au clusters use different deformation processes to adjust the distances between the interface atoms,owing to the misfit between the atom distances among the clusters and the substrates.The local structural changes are identified by atomic density profiles.     

基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型

基于定量原子像图像分析的ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面原子结构模型王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣（中科院金属所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）（中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）由于ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体材料在半导体器件研制与生产中的...