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PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列 总被引：2，自引：0，他引：2
本实验采用简单物理气相沈积（PVD）的方汉,直接蒸发Zn粉末,在ZnO（001）取向薄膜衬底上制备出整齐排列的ZnO纳米线陈列,与已有的报道不同,该方法不含任何催化剂或者添加剂。实验在水平管式炉中进行,采用Ar气（200sccm）作为保护气,反应温度750℃,反应时间90分钟。 相似文献
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