瑞典“埃里眼”（Erieye）预警机雷达介绍

要求雷达作用距离远的基本条件是必须采用较长的工作波长和大口径天线 ,但在小型飞机上要同时满足这两个条件 ,采用常规的旋转式天线是不可能实现的 ,唯一解决的方法是采用固定的电扫天线 ,这就是“埃里眼”预警机雷达PS 890的主要特点 ,它较好地解决了这两个问题。PS 890雷达的工作波长与天线面积和APY 1 / 2雷达相近。PS 890是S波段有源相控阵雷达 ,天线为双面阵 ,尺寸为 8m (长 )× 0 .6m (高 )。每个阵面有 1 78(水平向 )× 1 2 (垂直向 )个天线振子 ,两阵之间安装有 2 0 0个收 /发组件 ,每个组件均为固态器件 ,可向任一天线阵面馈…     

在一块芯片上集成225万个元件的1兆位DRAM

日本的东芝公司于去年11月1日发表了新一代超大规模集成电路的文章,它采用1.2μm的微细加工技术及新的元件隔离技术(BOX),在一块芯片上集成了约220万个元件的1M位动态RAM。 存取时间70ns 此超LSI,在4.78×13.23平方毫米的硅芯片上集成的元件是目前已达到实用化的最先进的超LSI-256k位DRAM的4倍,并将这种器件封装在与256k位DRAM     

1－芳氧基乙酰基－4－邻氯苯甲酰基氨基硫脲衍生物的合成及其生物活性研究

于固－液相转移催化条件下，合成了１０个１－芳氧基乙酰基－４－邻氯苯甲酰基氨基硫脲衍生物，用元素分析、ＩＲ和￣１Ｈ－ＮＭＲ光谱确定了它们的结构。该类化合物对小麦幼苗生长具有明显的促进作用。     

1─芳氧基乙酰基─4─苯甲酰氨基硫脲衍生物的合成及其生物活性研究

１─芳氧基乙酰基─４─苯甲酰氨基硫脲衍生物的合成及其生物活性研究魏太保，陈继畴（西北师范大学化学系，兰州，７３００７０）杨素铀，王秀春（西北师范大学生物系，兰州，７３００７０）关键词：１—芳氧基乙酰基—４—苯甲酰基氨基硫脲，相转移催化，合成，生物活性...     

微细化MOS用硅单晶

微细化MOS存储器用硅单晶中的问题是缺陷,其发生的起因,在于衬底本身的结晶缺陷及器件制造工艺过程。由衬底结晶缺陷引起的缺陷有发生在表面的层错和发生在内部微小缺陷,因此,在研制低氧浓度单晶生成技术,控制硅氧化物析出的同时,再要防止研磨损伤就能降低这两种缺陷的密度。进一步利用氧的外扩散,能使离衬底表面大约5μm的范围基本无缺陷。 起因于工艺过程的缺陷随着微细化新工艺技术的引入,而有进一步增大的倾向。由于离子注入产生的损伤,反应性溅射腐蚀时的重金属污染,用电子束直接扫描而在图形锐角处的应力集中都会造成问题。这些问题可以通过使用低氧浓度衬底和改善工艺条件而得到解决。另外,全部工艺流程所造成的圆片翘曲度大约在20μm以内。 采用以上方法,我们对实现1个微米规范的微细化256K位MOS存储器寄与很大希望。     

通过多晶硅选择氧化同时形成层间绝缘膜和漏源区

本文报导,成功地研究出了可以同时形成MOS LSI的层间绝缘膜及漏、源区域以及多晶硅栅长度与有效沟道长度差小的加工技术。漏、源区的掺杂剂是用磷。这是一种利用使磷通过SiO_2由多晶硅扩散到硅衬底上去的性质。为研究此工艺的实用性,将试制8位微处理机。     

三菱电机公司将新的成膜技术“高压氧化法”应用于MOSLSI中

三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件与材料研究会上发表了。 这种新的高压氧化法与以往的常规氧化法相比,氧化时间缩短了。由于热处理温度变低,从而使器件特性得以提高。由于有这些优点,使高压氧化法正成为半导体工业中有力的工艺方法。 在用于MOS LSI以前。首先把普通硅膜与由高压氧化法形成的膜进行了比较,非     

防止由α射线引起的存储器误动作的方法探讨

当探讨由于α射线影响所发生的软误差时,把为了防止软误差的方法,放到以动态MOS RAM场合为中心进行处理。通过改进封装、对芯片表面涂敷保护膜、改进器件设计、以及修正错误等系统的补救方法,为防止α射线影响是将器件做成4根腿。充分考虑了α射线影响的64K RAM设计大致可陆续定型。     

256kDRAM的可靠性

MOS动态RAM的集成密度、性能正以每年约2倍的速度向前推进,现在是以256k位动态RAM(以下256kDRAM)为主流(图1)。由于历史的原因在多种多样的IC中,使用的工艺技术、集成密度、性能、产量等方面,通常是MOS动态RAM居首位,所以在评价IC制造技术水平方面它具有代表性。在这里,就256kDRAM的可靠性作一概述。     

256k DRAM及树脂封装技术

近年来,树脂封装的LSI的可靠性得到大幅度提高,不论民用还是工业用几乎有90％的LSI是采用树脂封装的。日本的电电公社报导,关于树脂封装的16k、64kDRAM,经过12,000小时的长期实验,结果证明树脂封装材料在实际使用条件下可以期待20年以上的寿命,失效率也大致与陶瓷封装相等可能是60FIT。