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1.
在近代物理实验中,常常需要一个很强的电场,以便加速被研究的电子或粒子,或者作为其他用途.这种电源的负荷电流很小,所以总希望它轻便、可靠些,以满足实验的要求.可以作为这种电源的有:高频振荡高压电源、高频火花发电机和电子管倍压整流等方式.第一种方式显然体积可做得很小,但调整很繁琐,且易受外界条件的影响,所以不够稳定;第二种方式由于机械摩擦,不能很牢固;第三种方法比较简单、可靠、  相似文献   
2.
激光淬火对钛合金高温干摩擦特性影响的实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
报道了钛合金TC11对轴承钢GCr15在室温到450℃大气环境下,激光淬火前后球盘对比研究。结果表明,经激光处理后,钛合金在150℃和300℃抗磨能力明显提高,但在室温和450℃改善不明显。  相似文献   
3.
在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验.分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径.结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性.  相似文献   
4.
CVD金刚石厚膜的机械抛光及其残余应力的分析   总被引:7,自引:0,他引:7  
较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一.本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究.实验结果表明,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积.采用较大粒度的磨盘,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率.此外用XRD方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析,结果表明,经过机械抛光,残余拉应力明显减小.  相似文献   
5.
针对机组模型在进行产品说明和设计技术手册中所需的高质量渲染图片的问题,对Creo渲染模块在商业空调机组中的应用进行了研究.首先对待渲染的商业空调机组模型进行预处理;然后设置模型所对应的应用场景和光源,同时提取和添加待渲染模型的颜色;随后优化图像的噪点和阴影度;最后结合透视原理通过渲染模块的输出命令输出渲染后的图片.在商...  相似文献   
6.
纳米α-Al2O3磨料抛光单晶硅片光滑表面的形成机理   总被引:2,自引:0,他引:2  
"将纳米α-Al2O3粉体配制成抛光液并冷冻成冰结抛光垫对单晶硅片进行了抛光,用原子力显微镜观察了抛光表面的微观形貌并测量了其表面粗糙度,采用透射电镜观察了单晶硅片抛光后的断面形貌.为进一步分析抛光过程中的化学作用机理,采用X射线光电子能谱分析了单晶硅片抛光后表面的化学成分.利用纳米压痕仪的划痕附件对单晶硅片进行了划痕测试,研究了抛光过程中的机械作用机理.结果表明纳米α-Al2O3磨料冰冻抛光单晶硅片时,在1 mm£1 mm的范围内得到了微观表面粗糙度为0.367 nm的超光滑表面,亚表面没有任何损伤,材  相似文献   
7.
计算机控制CVD金刚石生长系统的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在CVD金刚石生长系统的基础上设计开发了计算机控制系统,对金刚石生长过程中各物理信号进行监测与控制,实现了无人值守下金刚石的生长.详细介绍了计算机控制的结构和软件实现方法.最后介绍了在计算机控制之下金刚石厚膜,纳米金刚石薄膜以及复合膜的生长.结果表明该系统运行稳定、可靠,控制效果明显优于人工控制,具有非常广泛的应用价值.  相似文献   
8.
基于晶界能和晶界曲率的晶粒生长驱动力理论,建立了二相晶粒生长的元胞自动机模型,对二相陶瓷材料烧结过程晶粒的生长情况进行了模拟.结果表明,模拟过程稳定且重复性好,模拟结果与制备的Al2O3/TiN复相陶瓷材料微观形貌组织吻合3建立的元胞自动机模型,适用于陶瓷材料烧结过程晶粒生长情况的模拟.  相似文献   
9.
合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究.仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降.同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量.  相似文献   
10.
金刚石涂层的纳米压痕力学性能研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
用HFCVD法在硬质合金刀具上制备了CVD金刚石涂层,利用纳米压痕仪研究了CVD金刚石涂层的硬度和弹性模量等力学性能.结果表明,反应室气压、衬底温度、反应气体中CH4含量、沉积时间等参数改变了CVD金刚石膜中sp2成分含量、晶界数量及晶界上缺陷,从而影响CVD金刚石涂层的纳米硬度和弹性模量.较高或较低的衬底温度都会导致硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量降低;随着反应室气压、反应气体中CH4含量的增加,硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量降低;沉积时间低于6 h时,沉积时间对硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量影响显著,沉积时间超过6 h后,沉积时间对硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量逐渐趋向稳定.  相似文献   
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