硒化合物的形态分析进展

硒的毒性和营养功能不仅与其总量有关,而且与其存在的化学形态有关,因此,硒的形态分析对于了解不同形态的硒化物在生物体和环境中的迁移转化规律具有重要意义。综述了硒化合物的不同形态和分析方法和技术。     

晶圆制造、运输、封装过程中Al焊垫污染源的研究

半导体芯片上Al键合焊垫在集成电路器件良率测试和封装中是非常重要的。研究焊垫污染来源对晶圆制造和金线键合工艺的改进将会有极大的帮助。结合案例采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线探测器(EDX)、透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)等分析研究了焊垫污染的来源。结果表明,键合焊垫上的F沾污的来源可能与顶层金属蚀刻或焊垫打开过程中的蚀刻气体或者运输相关;异常焊垫上较高的C和O可能是在晶背减薄过程中引入的;运输过程中的包装纸导致了异常焊垫上O和K沾污;异常焊垫上的Si尘埃形成于晶粒切割过程中;焊垫腐蚀区域的Cl则来源于焊垫蚀刻气体。     

间接原子吸收光谱法测定工业废水中痕量二硫化碳

研完了用二硫代氨基甲酸银间接原子吸收光谱法测定工业废水中二硫化碳。线性范围为2～30μg·ml-1,检出限为1.02μg·ml-1,回收率为96%～106％;且H2S和Cu(Ⅱ)等不干扰测定。方法适用于工业废水中二硫化碳的测定,结果满意。     

FIB参数对低介电常数介质TEM样品制备的影响

研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大。对于亚65nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50pA、加速电压降低到5kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小。     

半导体器件金属互连电阻失效分析方法研究

晶圆的失效分析在集成电路制造中起着十分重要的作用.通过对器件的失效分析,可确定器件的失效机理,并及时改善工艺.阐述了WAT(晶圆验收测试)中金属互连电阻(Rc)失效分析的优化流程.根据不同的金属互连电阻失效模型,如阻值偏低、阻值偏高以及断路,选择合适的失效分析方法,从而可以快速准确地揭示器件金属互连电阻失效的根本原因.     

吡咯烷二硫代氨基甲酸铵及其氧化产物共沉淀分离富集氯化物中的痕量铅及原子吸收光谱测定

研究了吡咯烷二硫代氨基甲酸铵 (APDC)及其氧化产物 (DPTD)在pH 3.5条件下定量共沉淀氯化物中的痕量铅 ,用FAAS测定 ,检出限可达 1.2× 10 - 2 mg/L。标准加入的回收率在 97.2 %～ 10 6 .2 %之间 ,克服了基体干扰 ,取得了较为满意的结果。     

NROM器件位线失效分析

NROM（Nitride Read Only Memory）位线（Bit Line,BL）是通过离子注入的方式,由硅衬底掺杂形成的源极／漏极区组成,被称作埋入式位线（Buried BL）。由于衬底掺杂及其浓度分布无法直接通过扫描电子显微镜（SEM）或透射电子显微镜（TEM）剖面形貌分析的方法获得,并且单一结区形貌很难反映整个器件的特性,所以在由掺杂引起的器件失效分析过程面临很大的挑战。本文结合深亚微米NROM制程中,晶圆级电性测试（wafer accept test,WAT）参数Pt（BL到BL之间的击穿电压）和Ⅰoff（关态电流）失效分析的案例,介绍了一种新的物性失效分析方法-间接剥层的方法来显示衬底形貌,可以清晰地观察到埋入式位线的失效区域。     

利用俄歇电子能谱仪研究Al焊垫表面的F腐蚀

Al焊垫的质量关系着半导体器件及封装的质量和可靠性.多项研究表明Al焊垫表面的沾污增强了Al焊垫腐蚀的可能性,特别是焊垫表面刻蚀后残留的F元素,极容易在焊垫表面引起各种类型得腐蚀.应用俄歇电子能谱仪,研究了两种发生在焊垫表面的腐蚀现象,结合其他失效分析手段,分析了Al焊垫表面的F腐蚀的成因.研究结果表明,被腐蚀的Al焊垫表面F元素的相对含量较高,腐蚀缺陷所在区域的氧化层大为加厚,将直接影响到后期封装过程中Al和相应封装材料的金属键合,造成潜在的芯片失效.     

共沉淀分离富集原子吸收光谱法测定氯化物中痕量镉

研究了吡咯烷二硫代氨基甲酸铵 (APDC)及其氧化产物 (DPTD)体系在 pH3.5条件下定量共沉淀氯化物中痕量镉 ,用FAAS测定 ,检出限可达 1.3× 10 - 3mg·L- 1。加标回收率在 97%～ 10 3%之间 ,克服了基体干扰 ,取得了较满意的结果。