为什么水在金属表面的吸附构型是倾斜的——水在铜、铝表面吸附的量子化学计算

用量子化学从头算方法,分别以原子簇Ｃｕ５、Ａｌ４、Ａｌ１０模拟Ｃｕ（１００）和Ａｌ（１１１）表面,在不同基组水平上,计算了水在两种金属表面上倾斜吸附的热能面,结果表明：当计算基组中不含氧原子的ｄ轨道时,得到水分子在金属垂直吸附的构型,这与实验结果不符;当水中氧原子加极化函数时,水分子倾斜吸附时能量较低,得到与实验相符的吸附构型。这说明水中氧原子ｄ轨道在计算中起着关键作用,在成键过程中有着重要影响。     

全封闭压缩机故障分析与修理

全封闭压缩机故障分析与修理王焕杰，钱佩华，袁定华（复旦大学，上海，２００４３３）（上海第二教育学院，２００４３３）全封闭压缩机结构如图１所示。它图１滑管式压缩机结构１—垫座；２—转子；３—定子Ｓ４—曲轴；５—曲轴箱；６—排气连接管；７—支撑弹簧；８—...     

钠氟类硅烯插入RH键(R=F,OH,NH2,CH3)反应的理论研究

用密度泛函方法研究了钠氟类硅烯插入R_H键(R=F,OH,NH2,CH3)的反应机理.4个反应的机制类似,反应经历了类硅烯的亲电接近、亲核插入和取代三个阶段之后,形成中间络合物,4个反应的势垒分别为0.9,61.7,114.6和190.6kJ/mol(经零点能校正).中间络合物可以解离为取代硅烷和NaF,这是一个无过渡态的过程.反应能分别是-122.6,-96.3,-6.8和50.2kJ/mol.     

为什么水在金属表面的吸附构型是倾斜的——水在铜、铝表面吸附的量子化学计算

用量子化学从头算方法,分别以原子簇Cu5、Al4、Al10模拟Cu(100)和Al(111)表面,在不同基组水平上,计算了水在两种金属表面上倾斜吸附的势能面,结果表明：当计算基组中不含氧原子的d轨道时,得到水分子在金属表面垂直吸附的构型,这与实验结果不符;当水中氧原子加极化函数时,水分子倾斜吸附时能量较低,得到与实验相符的吸附构型。这说明水中氧原子d轨道在计算中起着关键作用,在成键过程中有着重要影响。     

卡宾与醚C-H键插入反应的理论研究(Ⅲ)--CX2(X=H, F, Cl)与甲乙醚C-H键插入反应

用量子化学从头计算方法在MP2/6-31G(d)水平上研究了CX2(X=H, F, Cl)与甲乙醚的C-H键插入反应. 在甲乙醚的 3个不同的C-H键(即甲基中α-C-H键, 乙基中α-C-H键和β-C-H键)上, 反应势垒分别为123.8, 32.5, 157.3 kJ/mol(X=Cl)和254.3, 130.0, 304.2 kJ/mol(X=F). 亚甲基与毗邻氧原子的各C-H键插入反应没有势垒, 与乙基中β-C-H键插入势垒仅3.4 kJ/mol. 甲乙醚中乙基α-C上的C-H键最有利于CX2的插入, 甲基上的C-H键次之, 乙基β-C上的又次之.     

高纯硅烷气的制取

本工作中把硅烷的吸附提纯与低温蒸馏提纯方法紧密地结合制取了高纯硅烷气体,同时对钢瓶包装的容器作电镀处理,保证了高纯硅烷气不被容器所沾污,从而保证了气体的质量。目前已把上述方法用于生产中,钢瓶充装的高纯硅烷气使用方便,能满足半导体器件工业的需要,对LPCVD(低压化学蒸气淀积)薄膜新工艺的推广,亦起了推动和促进作用。     

化学汽相淀积（CVD）设备的使用与维修

化学汽相淀积（ＣＶＤ）设备的使用与维修王焕杰，张克云，陈振昌（复旦大学．上海．２００４３３）自８０年代初开始，化学汽相淀积（简称ＣＶＤ）工艺及其专用设备，在我国半导体器件制造工业中逐渐推广使用。多种ＣＶＤ设备，包括ＬＰＣＶＤ氨化硅／多晶硅，ＬＰＣＶＤ...     

等离子增强化学汽相淀积SiC_x:H和SiN_xC_y:H薄膜的特点

<正> 一、引言 碳化硅具有优异的物理、化学稳定性,高的击穿电场和饱和电子迁移率等特性,因此被广泛用作温敏器件、集成电路表面钝化材料。 随着超大规模集成电路技术的发展,三元化合物薄膜的开发得到了重视,如氮氧化硅薄膜作为抗钠离子和抗潮湿的最后保护层,双层技术的中间层,已用于制造VLSI。氮碳化钛(TiC_xN_y)薄膜被用于保护涂层等。笔者在研究碳化硅、氮化硅薄膜的基础上,开展了碳氮化硅薄膜材料的研究。选择等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备碳化硅,碳氮化硅薄膜。     

类金刚石薄膜的生长研究

近年来,类金刚石碳膜引起了很大关注。本文采用直流辉光放电法和外加直流偏 压高频辉光放电法制备非备晶碳膜,证实了直流辉光放电法的生长机理是正离子淀积过程;而高频辉光法的生长机理则比较复杂,可能存在正离子和自由基的混合过程。生长温度对薄膜折射率有一定影响。