150×150元CCD面阵固体摄象器的设计考虑

本文介绍我们设计的一种二相埋沟离子注入势垒、行间转移型的150×150元CCD面阵摄象器件,并将这种器件与已研制成的三相三层多晶硅帧转移型面阵器件从原理、结构、性能、工艺等方面作了比较;该器件的版图结构,预计在转移效率、工作频率、摄象清晰度等性能有较大的改进,但在工艺上要求有高精度的离子注入、高精度的大面积光刻、低压CVD生长多晶硅和氮化硅等工艺技术;最后给出了器件的驱动时钟波形。     

非线性时间序列周期分析的R/S分析方法及其应用

许多时间序列 ,例如资本数据等经济类时间序列 ,是由众多错综复杂因素共同作用的结果 ,存在着种种线性和非线性作用机制 ,频谱分析及其种种变形不应该是这些时间序列周期分析的合适工具 ,R/S分析因为不象频谱分析那样有正弦或余弦的假设 ,因而具有明显的优势 .通过对上证指数的 R/S分析 ,发现上证指数具有长程正相关和大约 5个月一个周期的特点 .     

三相三层多晶硅交叠栅结构CCD固体摄象器件

选用三相三层多晶硅交叠栅结构制作了108×100位,300×230位、512×320位面阵和1024位线阵 CCD 摄象器件。介绍了这种结构的特点、设计考虑和工艺过程,叙述了几种器件的结构原理和实验结果。制成的器件获得了每次为99.99%以上的转移效率,灵敏度大于3000μA/lm,暗电流密度小于20nA/cm~2,动态范围大于75:1。用这些器件已摄出了清晰的图象。     

电容耦合式两相电荷耦合器件

本文提出了一种新颖的电容耦合式两相电荷耦合器件。介绍了利用处于电浮置的耦合电容分压而获得非对称势阱的理论计算方法和结果。利用电容耦合原理制成了一个64位表面N沟道两相CCD图象传感器,该器件在0.8M_(HZ)频率下工作时,转移效率可达99.96％,电荷处理能力高于3×10~(11)个电子/cm~2。实际测量的电容分压与理论计算相符。对实验结果进行了讨论。     

512×456位硅CCD面阵摄象传感器

本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm~2,摄象区面积7.65×6.14mm~2,垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局,提高了管芯直流性能的完好率,栅的保护结构简单、有效。     

具有浮置光电二极管的行间转移CCD摄象器

描述并论证了一种具有“浮置光电二极管”的行间转移CCD摄象器。这种新颖的单元结构将转移栅和垂直移位寄存器的一个栅电极合并成为一个单一的栅,从而省去了第一层多晶硅。它只需要两层多晶硅而不是三层,并且得到了一个简单的结构。这种由离子注入形成的浮置光电二极管甚至在短波长范围提供了高的灵敏度。用两层多晶硅栅工艺制成的488×385单元的摄象器在400nm波长光照时得到了20％的量子效率。这种单元结构对提高器件性能呈现出明显的优点,并有可能获得高的成品率。