Laser-induced pattern formation from homogeneous polyisoprene solutions

This paper reports that the pattern formation in homogeneous solutions of polyisoprene in toluene saturated with C60 induced by a continuous-wave visible laser is observed experimentally. The transmitted beam patterns change with the increase of the laser irradiation time. In the initial phase, the patterns with concentric ring-shaped structure are formed. In the end, the patterns become speckle-shaped. The incubation time of the transmitted beam widening is inversely proportional to the laser power density and solution concentration. The pattern formation results from the optical-field-induced refractive index changes in the solutions, but the mechanism of optical-field-induced refractive index changes in the polymer solutions needs to be further studied.     

激光技术在塑封器件开封中的应用

引入激光技术与手动、自动酸开封相结合的新开封工艺,对小型、异形及有多块芯片的塑封器件进行开封实验。首先利用激光准确对芯片上方的塑封料进行部分刻蚀,再结合自动酸开封或手动酸开封去除芯片表面的塑封料。实验结果表明,激光开封后的器件再进行手动酸开封时间仅需8 s,相对于未引入激光开封技术的传统酸开封方法,激光开封技术在塑封器件开封中能达到定位准确、缩短开封时间、提高开封效率的效果。     

元器件氦质谱检漏失效判据的分析

比较了现行国军标中氦质谱检漏固定法与灵活法标准判据,在相同条件下,2种方法的判据有数量级上的差别。相同内腔体积的半导体分立器件、电子及电气元件和微电子器件,由于器件种类不同,封装、工艺等不同,细检漏的判据仍然存在较大差别。分析了美军标中氦质谱检漏标准判据,指出国军标和美军标氦质谱检漏标准判据存在一定的不适用性,建议元器件氦质谱检漏的标准判据应进一步改进。     

一种用于大功率音频功放的高稳定性LDO

设计了一种用于大功率音频功放的高稳定性低压差线性稳压器(LDO),对其电路结构和工作原理进行了分析,重点讨论了上电预充模块、环路稳定性及电源抑制能力。采用0.18μm 1P4M BCDMOS工艺,不同工艺角下,Cadence Spectre仿真表明,LDO的温度系数小于47.45 ppm/℃,瞬态响应最大变化量为50 mV,电源抑制大于71 dB@1 kHz,工作电压范围5 V~24 V,输出电压值为3.3 V;tt(渡越时间)模型下,工作电压为18 V 时,对大功率音频功放进行系统仿真,LDO 表现出约为30μs的启动时间,其输出电压值能很好地跟踪负载电流的变化。     

自制银柱IC法测定饮用矿泉水中的溴酸盐

采用自制的SPE-Ag柱去除样品中高浓度的氯离子,再用H柱去除可能带进系统的银离子,从而消除对溴酸盐测定的影响。基于此建立了测定饮用天然矿泉水中痕量溴酸盐的离子色谱方法。其最小检出浓度为0.005 mg/L,相对标准偏差为3.7%,回收率在100%～112%之间。     

高级统计学的教学实践与思考

基于教学实践和调查问卷对研究生高级统计学的各个教学环节进行了探讨和分析.区别于本科生的统计学教育,在研究生的统计教学中,不仅要介绍统计方法,而且还要通过更加有效的手段加强研究生对统计分析方法的整体认识和应用能力.教学实践和对调查问卷的统计分析结果表明:将传统的解释性教学和演示性教学与现代的具有建构主义特征的发现学习相结合将有助于培养研究生的学习能力和科研能力.     

多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析

为分析多层瓷介高压电容器因空洞缺陷引起畸变电场的影响趋势以及引发电击穿的机制,根据麦克斯韦边值关系理论,利用有限元仿真分析了空洞大小和不同介电常数对畸变电场的影响趋势。结果表明,畸变电场随空洞的增大呈幂函数增长趋势,介电常数的增大也会导致畸变电场增大,但会逐渐趋于平稳,畸变电场最多能达到均匀场强区域的1.4倍,因此,空洞大小是导致畸变电场增加的主要影响因素。利用能带理论对畸变电场引发电击穿的机制进行了解释。分析结果对进一步研究空洞缺陷影响电介质材料击穿性能的机制,以及根据实际应用需求研究制定不同种类电介质材料空洞缺陷大小的量化判据有一定参考意义。     

半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用

针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。     

电子元器件密封试验的探讨与实践

电子元器件是军工电子产品中的重要组成部分,元器件质量的好坏直接影响到各种装备的质量且对各产品的可靠性有较大影响。密封性能是密封电子元器件质量好坏的重要标志。本文介绍了电子元器件破坏性物理分析密封试验中方法的运用、实践,总结了细检漏和粗检漏试验中应注意的问题及应对措施,从而更有效地剔除有密封缺陷的元器件,保证检测结果的准确性。     

浅谈广播电台录音机使用中的几个问题

为了使录音的综合效果达到最佳,除了在艺术上和音响上作出最大的努力外,还必须充分发挥设备的潜力,为此,我们应对录音机和磁带的性能有一个比较深入的了解,以便充分发挥它们的效能..