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在板内无载荷作用时,平面偶应力问题和E·Reissner三广义位移平板弯曲问题具有相似性.这种相似性对研究孔附近的应力集中现象及裂纹尖端处应力场的奇异性具有重要意义. 1.平板三广义位移弯曲问题 E·Reissner平板理论中板的三个独立的广义位移为: 相似文献
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存储容量是存储器的一项主要技术指标。目前,存储容量的单位通常采用SI(国际单位制)词头(简称十进制词头)符号与字节符号B构成的十进制倍数单位,亦即用K或k(1 03=1 000)表示210=1 024,用M(106=1 0002)表示220=1 0242,等等,因此,它们与真实数值存在误差,数值越大,其误差越大,常常造成误解,甚至引起纠纷。而且,还存在词头K和k混用、词头独立使用等问题。因此,应规范使用十进制词头k,构建二进制词头,避免独立使用词头。建议采用二进制词头构成倍数单位,用K i代替k(或K)表示210=1 024,用M i代替M表示220=1 0242,用G i代替G表示230=1 0243,用Ti代替T表示240=1 0244。 相似文献
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本文介绍了RS-485通信卡方式的特点,使用方法以及在实际中采用VB5编程实现微机与单片机通信的方法和应注意的问题。 相似文献
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服务匹配是Web服务发现中一个很重要的部分。针对目前服务发现方法的描述缺少灵活性和表示性的不足,文章提出了一种基于OWL-S的Web服务匹配算法,其核心思想是用OWL-S进行服务描述并将其发布后.通过对服务描述中的输入输出和用户需求中功能的测度来判断服务与用户需求的匹配程度.将UDDI和功能匹配结合起来,使得用户能够更好地进行服务查询。 相似文献
5.
本文采用多尺度准连续介质法(quasi-continuum method, QC)模拟体心立方(body-centered-cubic, bcc)金属钽(Ta)Ⅱ型裂纹尖端位错的形核与发射过程,获得位错发射位置与应力强度因子关系曲线,分析裂纹尖端缺陷萌生过程,研究全位错分解以及扩展位错形成机理. 位错活动在不同阶段表现出不一致的特征,新位错的发射对于位错运动具有促进作用. 研究表明,裂纹扩展初始阶段首先萌生点缺陷,点缺陷随着加载强度增加会萌生新的点缺陷,点缺陷最终运动到边界,导致Ⅱ型断裂破坏. 在全位错发射之前有不全位错的形核与发射表明全位错的分解分步进行,从势能曲线上来看,也就是两个极小值点的形成机理不同.
关键词:
多尺度
准连续介质法
Ⅱ型裂纹
扩展位错 相似文献
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