基于XML技术数据库优化接入设计

鉴于用户对目前数据库接入技术要求的提高，一种基于XML技术对数据库接入进行优化的技术出现了。这种技术利用了基于XML传输时的可扩展、高度结构化等特性，在JavaBean，JDBC，Apache，Tomcat等设计组件及Linux体系结构的配合使用下．为用户提供了一个安全、高效、可扩展且访问灵活的数据库接入方式。     

配电网电缆故障行波衰减特性及定位方法研究

行波衰减特性和不同的故障条件是影响在线行波定位精度的重要因素。本文利用建立了10kV配电网电缆行波传播衰减模型,分别研究了行波频率参数、时域参数与传输距离的关系。最后分析了不同因素对行波定位结果的影响。结果表明,行波幅值比、波头时比、波尾时比和脉宽比参数与传输距离呈二次函数关系。其中幅值比随传输距离单调减小,其他三个参数随传输距离单调增大。此外,故障行波头尾时间和故障点位置对故障定位结果有一定影响。如果初始波头尾时间短,传输距离长,会导致定位误差增大。研究发现故障过渡电阻对定位结果影响不大。最后,本文基于行波传播衰减特性的研究,提出了基于衰减特性的行波故障定位方法。     

信息技术设备安全试验用万向施力装置的开发

设计了一套用于检测信息技术设备稳定性及机械强度试验的施力试验装置。按照GB 4943—2011《信息技术设备的安全》对稳定性及机械强度的要求,对该试验装置进行了结构及电路设计。测试结果表明,采用该试验设备,施力方向及施力精度均达到设计预期,完全满足标准测试需求,提高了检测工作效率。     

考虑常利率的二维离散风险模型的破产概率

考虑一个带常利率的二维离散风险模型.假设两险种的理赔服从二维一阶自回归模型,利用鞅方法导出最终破产概率的Lundberg型不等式及上界.并通过具体数值分析解释了各种不同参数对破产概率上界的影响.     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

QAM解调器自动增益控制的设计

提出了一种针对数字电视DVB—C系统QAM解调器自动增益控制模块的设计方案，该设计通过前端AGC模块控制高频头和中频放大器增益。补偿信号衰减，通过解调器内部数字AGC精确调整信号电平。     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

基于直觉语言评价的电力变压器状态维修决策方法

研究电力变压器状态维修的决策方法对提高其运行安全和可靠性具有重要意义。针对当前变压器状态维修决策方法对定性评价信息处理的不足,文中结合直觉模糊集和语言评价法提出一种基于直觉语言评价的决策方法。为得到更为完备的决策信息,该方法首先引入直觉语言数形式以充分表达专家评语的肯定度、犹豫度;在此基础上,基于直觉语言熵定义并综合考虑多方面因素建立起优化模型来确定指标权值,同时利用直觉二元语言算子对专家群体决策信息进行集成运算,以进行方案优选。实例分析表明,该方法能涵盖更多的决策信息,并减小定性到定量转化过程中的信息量损失,使得决策结果更加客观、合理和全面。