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A new two-step phosphorous diffusion gettering(TSPDG) process using a sacrificial porous silicon layer(PSL) is proposed.Due to a decrease in high temperature time,the TSPDG(PSL) process weakens the deterioration in performances of PSL,and increases the capability of impurity clusters to dissolve and diffuse to the gettering regions.By means of the TSPDG(PSL) process under conditions of 900℃/60 min + 700℃/30 min,the effective lifetime of minority carriers in solar-grade(SOG) Si is increased to 14.3 times ... 相似文献
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混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。 相似文献
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利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光(PL)谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。 相似文献
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设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。 相似文献