无金和掺金Si-SiO2界面的氧退火特性

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO₂界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO₂界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。 关键词：     

La在Si/SiO2界面的电效应

(一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO_2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为8—12Ωcm的<111>P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO_2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300μm。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO_2薄膜。去除Si片背面的SiO_2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对     

Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应

本文系统地研究了Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应及其热处理行为,对MNS结构进行了电子能谱分析,并探讨了Au在界面处的作用机制。     

影响微细铝条等离子刻蚀的物理化学因素

本文全面地研究了微细铝条等离子刻蚀的有关问题.从实验上给出了刻蚀的各向异性、均匀性以及刻蚀速率等基本参数与设备、工艺和物理因素的关系.成功地刻出了线度为1.5～2μm、厚度1.5μm的微细铝条.     

Au在Si-Si3N4界面的电学效应

本文系统地研究了Au在Si-Si₃N₄界面的电学效应及其热处理行为,对MNS结构进行了电子能谱分析,并探讨了Au在界面处的作用机制。 关键词：     

无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO_2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO_2界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。     

高阻值电阻在弱电流测量中的应用

本文讨论高阻应用于弱电流测量中的有关问题,对于为保证其测量精度而需要精确标定高阻阻值的问题将予以重点讨论,并向读者提供一个简单易行的高阻标定方法。 所谓高阻值电阻(以下简称高阻)一般指阻值在10~6～10~(14)Ω间的电阻,它在弱电流测量中有着广泛的应用。最常用的弱电流测量方法基本上有两种:一种是电容积分法以及由它派生出来的其它方法;另一种为高阻采样法。前一种方法所测得的往往是某段时间内被测电流的平均值,后一种方法既可用于稳态测量,也可用于瞬态测量,因其瞬态时间响应好而有着广泛的应用。