新型陶瓷材料的光激励发光性质研究

针对以往电子俘获光存储材料存在的问题，利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷，研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性，并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性，推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl：Eu相比，这种材料的光激励发光衰减速度较慢。     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu2+的光激励发光及光存储性质研究

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3:Eu2 样品.其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410 nm处,属于Eu2 的5d-4f跃迁发光.光激励峰位于660 nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器.根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理.测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3:Eu2 存储的信息可以方便地擦除掉.该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料.     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料，它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射，被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致，即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多，研究进展各不相同。其中，以作为X光影像存储材料的BaFBr：Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展，尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。