MOCVD生长的平面型InGaAs／InP PIN光电探测器件

讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。     

AlGaInP高亮度发光二极管

分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在６０５ｎｍ,ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ,２０ｍＡ工作电流下,５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ,最大３０ｍｃｄ,平均工作电压１．９Ｖ,透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。     

平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制

平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿.运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度.比较了这三种结构的InP/InGaAs APD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣.通过理论研究对平面InP/InGaAs APD进行了优化.     

决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素

影响发光二极管光提取效率的主要因素有：出光表面状态、上电极和体内吸收．对于ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收．一般采用出光表面粗化、窗口层、ＤＢＲ反射器等措施来提高光提取效率．本文以自发辐射随机分布模型为基础，以ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据，从理论上分析了这几种主要措施对光提取效率的影响．     

InGaAs／InP SAGM—APD结构的液相外延生长研究

本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。     

长波长InGaAs／InP APD光接收组件

在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器

在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。