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我们在低压金属有机汽相沉积(MOCVD)设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出GaAs-InP材料,并对此进行了X-射线衍射、低温光致发光谱(PL)和Raman谱分析,结果表明,GaAs外延层的位错密度低于用两步升温法得到的GaAs材料,PL谱峰较强,GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到。Raman谱PL谱的峰移表明GaAs外延层处于(100)双轴伸张应力下,应力大小随温度变化是由于GaAs、InP之间的热膨胀系数不同。 相似文献
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本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放.从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来.而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义.本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚度时应变层的临界厚度 相似文献
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