平行封焊技术在微波器件封装中的应用

平行封焊技术是电子器件后道处理工艺中的关键技术。作者从工艺的角度分析了设备条件、工艺参数的选择、关键步骤的控制、焊接材料等对器件的影响。确定了一套比较合理的处理工艺流程。该技术在高频微波器件的封装中得到了良好的应用效果。     

LTCC-D高密度微波集成工艺技术研究

LTCC技术作为高密度互连技术在电子产品中已得到广泛应用。而在微波高频电路中由于其印刷精度的限制一定程度上影响了电气性能。在LTCC上制作薄膜电路可以显著提高微带线精度及微波传输性能,同时提高微波产品集成密度,简化微组装工作步骤。通过工艺实验,分析和突破了LTCC-D工艺中的多项关键技术,形成了完整的工艺流程。该流程经样品和试生产验证达到了工程化应用水平。     

基于高功率脉冲技术的微深孔溅射关键工艺研究

根据高功率脉冲电源在溅射时能提升离化率,增加离子浓度的特点,研究了高功率脉冲电源的峰值电流、频率、脉宽与离化效果之间的关系,并比对了溅射效果,分析了高功率脉冲与偏压电源之间的作用关系。通过这些关键工艺的研究,成功实现了深径比10∶1的微孔溅射金属化并进行工程应用,为三维集成高深径比微孔金属化提供了一种低成本的解决方案。     

应用6σ优化薄膜制造过程能力

电子装备生产的日益规模化对科学性的控制管理方法要求越来越高。提出将统计学应用于生产制造中,并实践应用统计方法,对薄膜制造中的集成电阻精度、图形转移精度和基片外形破碎率等项内容进行了过程能力的分析评价。根据分析结果制定和实施了优化方案,取得了满意效果。     

LTCC高精密封装基板工艺技术研究

将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC)基板工艺技术相结合,对LTCC高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化,并利用9K7材料进行了基板试制。结果显示,基板表面线条细度达到(50±5)μm,表面导体图形位置精度优于±10μm。基板表面Ni/Pd/Au镀层可焊性/耐焊性优良,2 mm×2 mm焊盘的锡铅焊接拉力强度达到2.8 kg以上,25μm金丝的键合强度达到10 g以上。基板表面阻焊开口尺寸达到(80±10)μm,具有良好的阻焊性能。对试制的LTCC高精密封装基板进行了装配和测试,在12 mm×13 mm的尺寸上实现4颗射频芯片的倒扣装配,功能模块在W波段具有良好的射频性能。LTCC高精密封装基板显现出高密度、高性能封装能力。     

薄膜有机集成电容的制作工艺

以PI-5型聚酰亚胺(PI)电子涂料为介质层,在99瓷氧化铝陶瓷基片表面通过磁控溅射、光刻、电镀、蚀刻等传统薄膜电路工艺制作有机集成电容。分别研究了PI旋涂转速、旋涂时间、热处理制程等参数对PI厚度和均匀性的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到厚度与设计值相符的PI膜层,且膜厚均匀性优于±5%,有机电容的容值精度优于±5%。PI有机电容与薄膜及半导体电路工艺高度兼容,在集成无源器件(IPD)制造中有着广阔的应用前景,有利于新一代系统的微型化、多功能和高密度集成。     

LTCC基板BGA焊接剪切强度影响因素分析

通过横向对比的方法,分析了阻焊结构、通孔、焊球直径、阻焊开口尺寸对LTCC基板BGA焊接剪切强度的影响分析.结果 表明,阻焊结构的引入能够大幅提升BGA焊盘的剪切强度,且通孔的引入不会降低Ni/Pd/Au焊盘的剪切强度.剪切强度会随着焊球直径显著变化,且可通过增加阻焊开口尺寸获得提升.