一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计

本文提出了一种应用于LTE直接变频接收机的CMOS射频前端电路。电路由低噪声跨导放大器（LNA）,电流型无源混频器和跨阻运算放大器（TIA）组成,该结构对于LTE多频带应用具有高集成,高线性,并实现简单的频率配置。电路采用多个电流舵跨导级实现了大的可变增益控制范围。电流型无源混频器采用25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性性能。为了抑制带外干扰,采用直接耦合电流输入滤波器。该射频前端电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围,具有45dB电压转换增益,噪声系数为2.7dB,IIP3为-7dBm以及校准后的IIP2为 60dBm。电路采用1.2V单电压供电,整个电路工作电流为40mA。     

应用于GNSS接收机的宽频带高线性下变频器研究

针对全球导航卫星系统（GNSS）接收机在安全领域的应用要求,提出一种宽频带、高线性和高驱动的新型下变频电路结构.所提出的下变频器由宽频带共栅低噪声跨导放大器、电流型无源混频开关、和增益可调的跨阻驱动放大器组成.该电路采用电容交叉耦合共栅输入跨导增强技术,实现了1.15-1.65 GHz宽频带匹配和全频点GNSS信号的低噪声放大.所提出的新型的桥式跨阻驱动放大器,具有直接驱动50Ω负载阻抗能力,实现了大动态条件下宽增益控制范围和出色的下变频线性性能.流片测试结果表明,提出的下变频器实现了+38 dBm的输出三阶交调截点功率（OIP3）,+17 dBm的输出1 dB压缩点功率（OP1dB）,10-27 dB可调的转换增益.下变频噪声系数（NF）在1.15-1.65 GHz频段的各种增益下都小于12.6dB.该下变频器在低增益模式下实现了高线性、低噪声和强驱动能力,适合应用于复杂环境下的GNSS接收机.