汽相回流焊技术

一、概述汽相回流焊是利用饱和蒸气冷凝时放出的热量来加热被焊元件实现焊接的一项新技术.其工艺特点是:1.热换效率高 汽相回流焊的热交换率约为100Btu/hr·ft~2F,比液体浸焊高50%,比辐射和对流加热焊高15倍.2.焊接温度均匀稳定 所有元件均被加热到相同的最高温度——FC液体的沸点.     

钨丝探针电解—电墨炉原子吸收光谱法测定砷化镓中的铬

钨丝探针电解－石墨炉原子吸收光谱法测定砷化镓中的铬，灵敏度可达０．０１ｎｇ／１％吸收，相对标准偏差为３％，富集倍数达２８倍。与直接液体进样原子化方法相比，本方法具有减少环境污染，简便，灵敏度高，抗干扰能力强等优点。在研究测铬的最佳条件的同时，本文还探了铬（Ⅵ）的电解机理。     

CMOS门阵列电路用封装外壳的研制

介绍了一种用于封装万门至十万门级ＣＭＯＳ门阵列电路的ＰＣＡ１３２多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了ＣＡＤ设计布线,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高,满足了高可靠应用要求。     

新型莫来石瓷在高密度封装中的应用

描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。     

高速ASIC封装的电性能

高速ASIC封装的电性能参数包括传输延迟，特性阻抗，信号串拔以及封装电感和电容等，本文分析这些参数对电路性能的影响， 给出计算模型和方法，提出改进封装电性能的措施。     

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践(续)--微波器件封装之一

（上接第2002.11期54页）3实践微波器件外壳电性能设计目标，就是如何降低外壳的电容、电感和电阻，控制特性阻抗，以满足器件要求。但是这些参数往往是相互制约的，如电容和电感、电阻和电容，反馈电容和输入、输出电容等等。因此需要折衷考虑，最终对各参数进行优化。另一方面，由于我们多年来已经成功开发了上百种微波器件外壳，积累了相当多的经验和模式，借鉴这些经验和模式，应用于外壳设计中，无疑是一个捷径。以下是几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式。瓷件外形尺寸/mm13×11×2.37×输入输出电容/pF0.80.71工作频率/GHz3…     

陶瓷芯片载体——一种封装新标准

文章分为两部分,在第一部分中,作者研究了芯片载体的一些使用方法,调查了有关的实际工艺。     

耐高温核/壳结构TiO2/SiO2复合气凝胶的制备及其光催化性能

以钛酸四丁酯为源, 采用苯胺-丙酮原位生成水溶胶-凝胶法, 在乙醇超临界干燥过程中用部分水解的钛醇盐和硅醇盐对TiO₂凝胶进行超临界修饰制备了具有核/壳纳米结构的块体TiO₂/SiO₂复合气凝胶. 制备的复合气凝胶具有优异的机械性能, 其杨氏模量可达4.5 MPa. 复合气凝胶同时具有极好的高温热稳定性. 经过1000 ℃热处理后, 线性收缩由纯TiO₂气凝胶的31%降至复合气凝胶的10%, 且比表面积由纯TiO₂气凝胶的31 m²·g^-1提升至复合气凝胶的143 m²·g^-1. 此外, 该复合气凝胶经1000 ℃热处理后具有优异的光催化降解亚甲基蓝的性能. 其优异的光催化性能得益于TiO₂/SiO₂复合气凝胶1000 ℃处理后高的比表面积和小的颗粒尺寸. 优良的耐热性能、力学性能和光催化性能使获得的具有核/壳纳米结构的TiO₂/SiO₂复合气凝胶在光催化领域具有良好的应用前景.     

基于光纤光栅传感的化学镀膜过程本征应力监测

为了研究化学镀膜过程中本征应力的演变过程,建立了基于光纤光栅传感的本征应力计算模型,提出了一种监测化学镀膜过程本征应力演变的方法.通过记录光纤光栅中心波长的偏移量,结合裸光栅进行补偿,实现了在线监测化学镀膜过程产生的本征应力.使用光纤光栅传感器对化学镀Cu过程中本征应力进行监测.结果表明:在化学镀Cu过程中,光纤光栅中心波长蓝移,本征应力表现为压应力,且本征应力随时间的增加而增大;监测光栅的压力灵敏度为4.10 pm/MPa,监测准确度可达到0.24 Mpa.