红外探测器工艺用器皿清洗方法研究

红外探测器材料一般为窄带系材料,在其制备工艺过程中,杂质离子更容易导致缺陷能级或表面快态复合中心,需选取较优的器皿清洗方法,对工艺用器皿所含金属离子进行评测控制。本文通过电感耦合等离子体质谱仪对比碲镉汞红外探测器工艺线上不同的器皿及清洗方法,对清洗后金属离子残留测试分析,获得较佳的器皿清洗方法,更好地保证红外探测器制备后性能。     

束流强度分布与膜厚的关系

为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。实验测试的膜厚的最厚点为8.1582 μm,最薄点为5.9362 μm,比例为72.76%,与计算结果基本相符。因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响。但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关。由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠。     

高纯铟杂质元素的ICP-MS 测试方法研究

红外材料锑化铟的原材料之一是高纯度铟,其杂质元素的种类和含量直接影响了探测器的性能。因此建立准确高效的痕量元素定量测试方法尤为重要。通过严格控制温度保证酸解过程的可实现性,使用标准加入法建立标准曲线并对样品进行测试。经过响应率对比,该项测试选取的基底样品为单标溶液In10000,标准曲线的线性相关系数均接近于0.999。排除线性差异的影响,对多批次的测试结果进行分析并验证其准确性。同时采用内标法验证In10000溶液内的多种杂质元素含量。结果表明,基底样品具有极低的杂质含量。通过配置已知标准浓度的溶液对该测试方法的准确性和可重复性进行多次验证。测试结果表明,该项测试方法准确有效,可应用于高纯(大于6N) In的杂质含量测试。     

微波消解技术在红外高纯材料杂质测试中的应用

微波消解是近年来迅速发展起来的样品处理技术,其具有高效、快速、易于控制、防止易挥发组分损失、对环境无污染、节能降耗等优点,目前已广泛应用在多个领域。本文以高纯Cd杂质测试为例说明微波消解技术在红外高纯材料杂质含量分析中的应用。     

抑制In元素在CdTe中的退火扩散

分子束外延HgCdTe/InSb 材料需要阻止 In 元素在 HgCdTe 中的不受控扩散。我们使用 CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制 In 的扩散。为研究 In 元素在 CdTe 材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In 元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用 SiO2 作为钝化层,通过对比试验发现 In 元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制 In 元素的扩散提供新的思路。     

Synthesis,Crystal Structures and Cytotoxic Activities of Two New Pyrimidine Derivatives of Ursolic Acid

The title compounds(5a and 5b)were synthesized from ursolic acid and their structures were characterized by spectroscopic methods including ESI-MS,¹H-NMR,¹³C-NMR and elemental analysis.The crystal structures of compounds 5a and 5b were determined by single-crystal X-ray diffraction analysis.Compound 5a crystallizes in monoclinic system,P21 space group with a=12.258(3),b=10.396(2),c=15.570(3)?,b=107.21(3)°,Z=2,V=1895.3(7)?³,Mr=659.90,Dc=1.156 Mg/m³,S=1.003,μ=0.076 mm^?1,F(000)=716,the final R=0.0686 and wR=0.1430 for 1859 observed reflections(I>2σ(I)).Compound 5b crystallizes in monoclinic system,P21 space group with a=12.371(3),b=10.647(2),c=15.722(3)?,b=109.44(3)°,Z=2,V=1952.8(8)?³,M_r=655.93,D_c=1.116 Mg/m³,S=1.002,μ=0.069 mm^?1,F(000)=716,the final R=0.0686 and wR=0.1882 for 2574 observed reflections(I>2σ(I)).The preliminary cytotoxic assay indicated that compound 5b exhibited notable cytotoxic activity against MCF-7 and HeLa cells with the IC₅₀values of 10.71±0.23 and 12.63±0.31μM,respectively.     

Hg1-xCdxTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究

在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。