用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

CeO2陶瓷的介电频响研究

研究了CeO_2陶瓷室温下低频和射频的介电谱,并给出了介电常数和介质损耗及其与温度的关系。测量结果表明,此种陶瓷存在弛豫极化,其偶极子的弛豫时间约为5×10~(-9)S。在330℃以下,CeO_2陶瓷的介电常数和介质损耗具有良好的温度特性。在室温下,CeO_2陶瓷在500kHz～50MHz频率范围内具有良好的介电特性。     

LaxBa1—xCoO3系导电陶瓷导电性研究

对ＬａｘＢａ１－ｘＣｏＯ导电陶瓷的导电性及其导电机制进行了研究，在ｘ＝０．５ｍｏｌ处，导电陶瓷具有金属态导是性，在Ｌａ０．５Ｂａ０．５ＣｏＯ３陶瓷中，存在着氧缺位和导电电子，并且此种导电陶瓷具有较高的电子和氧离子混合导电特性。     

BaPbO_3－Nd_2O_3系陶瓷导电性研究

研究了ＢａＰｂＯ３－Ｎｄ２Ｏ３系陶瓷的导电性，研究表明，此系统陶瓷的导电载流子是氧缺位中存在的施主电子；添加适量的Ｎｄ２Ｏ３，可以改善ＢａＰｂＯ３陶瓷的导电性和ＰＴＣ特性     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

La0.67Ba0.33MnO3中Bi掺杂产生的低场磁电阻增强效应

将Bi2O3掺杂到溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中, 结果发现随着Bi的掺杂, 材料的磁化强度和居里温度基本不变, 但电阻率发生明显变化, 在0～10% (摩尔分数)的掺杂范围内, 电阻率先急速上升后缓慢降低. 掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强, 但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻; 掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强.     

LaFe1-xNixO3-δ系陶瓷导电性研究

采用标准的固相反应法制得ＬａＦｅ１－ｘＮｉｘＯ３－δ系陶瓷,用双臂电桥原理、四探针法对材料的电阻率进行测试。结果表明,ＬａＦｅ１－ｘＮｉｘＯ３－δ系陶瓷在０．６〈ｘ〈０．８范围具有金属态导电性,在该系材料中,存在着氧缺位和导电电子,因此具有较高的电子和氧离子混合导电性。制造工艺与氧缺位密切相关,适当提高烧结温度可使室温电阻率降低。温温实验证明,在１２０Ｋ附近材料存在一相变过程。     

BaPbO3—Nd2O3系陶瓷导电性研究

研究了ＢａＰｂＯ３－Ｎｄ２Ｏ３系陶瓷的导电性。研究表明，此系统陶瓷的导电载流子是氧缺位中存在的施主电子；添加适量的Ｎｄ２Ｏ３，可以改善ＢａＰｂＯ３陶瓷的导电性和ＰＴＣ特性。     

La0.5-xNdxBa0.5CoO3化合物的磁性和输运特性

在La0.5-xNdxBa0.5CoO3化合物中用Nd对La进行了替代研究，结果表明，Nd的掺入未改变Co3d电子的巡游性。随Nd含量增大，材料的分子磁矩单调下降，当Nd含量大于或等于0.45时，材料中出现了磁性相分离，当x≤0.45时，随Ｎd含量增加，材料的居里温度单调下降，这是由于稀土离子的尺寸效应。电阻测量表明，在所研究的温度范围内，在居里点以下，材料属热扩散导电，在居里点以上属极化子的变程跳跃导电。     

Nd2O3改性PbTiO3陶瓷性能的研究

通过添加少量的Ｎｄ２Ｏ３可以改善ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能。这种性能的改善是与用Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的显微结构物导电机制密切相关的。本文研究了Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能参数。