全内反射型半导体光波导开关器件模型分析

本文提出了一种简便可行的全内反射交叉型半导体光波导开关模型分析方法。该方法采用波动光学的原理,分析了全内反射型(TIR)开关中导波模式的传输和反射特性,采用反射率和透射率计算了开关的消光比、串话、损耗等性能与波导结构参数之间的关系,并考虑了波导吸收系数对开关性能的影响。对全内反射条件下Coos-Haenchen位移也做了讨论。     

GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应

由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n~+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。激     

电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究

电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１０００８３）ＧａＡｓ是半导体光电...     

KNbO_3:Fe自泵相位共轭

本文提出KNbO_3:Fe光折变晶体的异形切割和最佳实验配置,首次在室温下获得内环腔自泵相位共轭,反射率高达～60％。     

半导体激光器输出光功率的最佳值

本文分析了半导体激光器输出光功率与镜面反射率的关系,数值计算结果表明镀制介质腔控制正反镜面反射率可以得到最佳输出光功率.此外,分析表明减少腔内损耗,减薄有源层厚度和缩小条宽对输出功率都有显著的增加.     

Fe∶KNbO_3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ∶ＫＮｂＯ_３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果．     

半导体激光器的输出光强-电流曲线与阈值

半导体激光器的受激发射光谱和输出光功率(P)-电流(I)特性曲线都是表征其性能的重要数据。它们也是确定半导体激光器受激发射阈值电流(I_(th))的常规测量方法。但是发射光谱是给定工作电流(I)时测量的,必须尽可能多次测量不同I值时的发射光谱,同时仔细区别超辐射和受激发射光谱才能确定I_(th)值;而从P-I曲线的转折点或外推P-I曲线到P=0     

具有AlN膜的半导体激光器的实验研究

本文报道使用溅射AlN膜做半导体激光器端面反射膜和表面纯化膜的实验研究结果。测量结果表明,使用溅射AlN膜做表面纯化膜的半导体激光器性能良好。     

高温超导体上的光生伏特效应

高温超导体的光电子学由于其有助于超导电性的解释和诱人的应用前景而受重视。我们首次在YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品与金属针接触的结上观测到光生伏特效应。样品的临界温度T_c=92K,置于液氮杜瓦中,温度可变(77K至室温)。金属针材料用了铂、钨、铜和金,它们的热电势和逸出功各不相同。光源用45mW的He—Ne激光器,光照在结的位置上。针和超导体的引线连到数字微伏表上,测量中以针的那端作零电压参考;测量温     

GaAs/AlGaAs DH多模激光器增益宽度、象散因子和线宽测定

本文报道国产质子轰击条形GaAs/AIGaAs DH多模激光器的增益宽度、象散因子和线宽的实验测量结果。发现此类半导体激光器的增益宽度均是几十埃,象散因子都小于3,线宽均大于10GHz。对此类半导体激光器的实验数据在光纤通讯和光盘以及其它领域中的应用具有实际参考价值。