P波段900 W脉冲功率LDMOS器件的研制

设计并制作了一种50 V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50 V、工作脉宽100 μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18 dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。     

C波段限幅开关集成芯片

采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片一次流片成功。实测结果显示,该芯片在5～6 GHz频率范围内插入损耗小于1 dB,隔离度大于50 dB,电压驻波比小于1.5∶1,开关速度小于25 ns,可承受10 W以上的连续波功率。该集成芯片在T/R组件接收通道可替代两只单一功能芯片,有较好的应用前景。