MapInfo在有线电视网络设计与管理中的应用

MapInfo是美国MapInfo公司开发的一套GIS系统，采用前台电子地图与后台数据库相结合的技术，较好地将CAD制图与数据库管理功能结合在一起，在完成图纸设计的同时，能建立详细的数据管理、统计系统。并能根据用户需求进行分类查询、统计。这些功能为有线电视网络设计与用户档案管理、统计提供了方便的应用平台。使用户可以更直观、更准确、更方便地进行网络设计、档案查询和统计。牡丹江广播电视传输网络公司经过几年的应用、改进和完善。已经建立了比较完整的有线电视地理信息网络设计、用户档案管理、统计系统,并取得了一些经验。     

乌鲁木齐市商业中心的等级体系及合理布局的探讨

本文利用85年5—6月间对乌鲁木齐市主要商业区及部分中、小商业区的实地调查资料,对乌市商业中心等级系统进行了定性和定量的分级分类,将全市商业中心划分为五个等级,八组商业中心,对已形成的商业中心分布现状进行了初步探讨,并对今后商业网点的合理布局提出了建议。     

带有边集限制的最均匀支撑树问题

本在无向网络中，建立了带有边集限制的最均匀支撑树问题的网络模型．中首先解决最均匀支撑树问题，并给出求无向网络中最均匀支撑树的多项式时间算法；然后，给出了求无向网络中带有边集限制的最小树多项式时间算法；最后，在已解决的两个问题的基础上解决了带有边集限制的最均匀支撑树问题．     

旋转锥镜相机研测动态曲率和斜率

采用旋转锥镜相机，进行激光散斑剪切照相，研测缓慢变形物体的动态曲率和斜率。拍摄一张散斑图即可获得曲率和斜率动态变化的全过程。     

4—叔丁基—β—氯—α甲基肉桂醛的合成

从苯和叔丁醇出发，经过３步反应合成得标题化合物，总收率在６８％以上。     

计算机网络技术在信息工程中的应用

阐述数字通信工程和网络信息技术的特点,网络信息技术在数字通信工程中的应用,包括网络信息技术的信息传输、网络信息技术的信息安全、利用网络信息技术进行资源分享。     

基于BAS-BP-Bagging模型的光纤陀螺温度补偿

为提高光纤陀螺的输出精度,以天牛须搜索算法(BAS)优化后的BP神经网络模型为基学习器,采用Bagging并行集成学习算法建立了BAS-BP-Bagging温度补偿模型,并对某型号光纤陀螺进行了温度补偿实验。实验结果表明,在-40～+60℃温度变化环境下,该方法补偿后的光纤陀螺温度漂移相较于补偿前减小了近80%,相较于多项式补偿算法减小了55%,相较于BP神经网络补偿算法减小了30%左右。同时该模型在对新鲜样本的补偿过程中表现出了较为优越的泛化性能。     

基于ESO-UKF的动力电池内部温度在线估计

准确的内部温度估计对动力电池的安全使用至关重要,为了在线获取准确的电池内部温度,本文提出一种基于温度估计模型的ESO-UKF电池内部温度估计方法。其中温度估计模型由Bernardi生热模型与热路传热模型组成,生热模型中端电压由神经网络获取,传热模型参数由递推最小二乘法辨识得到;该算法利用温度估计模型的离散状态空间描述,提出ESO-UKF进行电池内部温度的在线估计,将影响估计精度的传感器偏差视为扩展状态与原状态一起估计,实现了对不确定状态的估计;测试验证表明该算法的估计误差小于1℃,能够实现多工况下内部温度的在线估计,估计精度高、适应性强。     

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑酮与甲基膦酸二(1-甲基庚基)酯对Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)的萃取机理研究

本文用两相滴定法研究了1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑酮(PMBP,简写为HA)与甲基膦酸二(1-甲基庚基)脂(P₃₅₀,简写为B)对Pb²⁺、Cd₂₊和Cu²⁺离子在不同的有机溶剂中的萃取机理.确定了萃合物的组成分别为:MA₂(M=Pb²⁺、Ca²⁺、Cu²⁺);MA₂·HA(M=Cd²⁺);MA₂·B(M=Pb²⁺、Cd²⁺)和MA₂·2B(M=Cd²⁺),同时求得了相应的萃合常数β值.     

An Efficiency Enhanced Graphene/n-Si Schottky Junction for Solar Cells

A novel and facile oxidation-induced self-doping process of graphene-silicon Schottky junction by nitric acid(HNO_3) vapor is reported. The HNO_3 oxidation process makes graphene p-type self-doped, and leads to a higher built-in potential and conductivity to enhance charge transfer and to suppress charge carrier recombination at the graphene-silicon Schottky junction. After the HNO_3 oxidation process, the open-circuit voltage is increased from the initial value of 0.36 V to the maximum value of 0.47 V, the short-circuit current is greatly increased from 0.80μA to 7.71μA, and the ideality factor is optimized from 4.4 to 1.0. The enhancement of the performance of graphene-Si solar cells may be due to oxidation-induced p-type self-doping of graphene-Si junctions.