首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:从到   被引次数:从到   他引次数:从到 提示：输入*表示无穷大
全文获取类型
  收费全文   1篇
  免费   0篇
专业分类
无线电   1篇
出版年
  1987年   1篇
排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 781 毫秒
1
1.
用气相外延方法在Ge和GaAs衬底上成功地生长出性能良好的异质外延薄膜,经降阻掺杂制成异质P—N〔(p)Ge—ZnSe(n)和(p)GaAs—Znse(n)〕结,克服Ⅱ—Ⅵ族化合物无法做成P—N结的“自补偿”效应,通过X射线分析、劳厄照相和I—V、C—V测试表明,ZnSe 外延薄膜质量较好,可做为重要的光学材料.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号