冷冻超薄切片技术用于高分子材料的透射电镜研究

高分子材料一般质地较软,有很大韧性,常规的冲击断裂断口观察主要用于扫描电镜,而透射电镜(TEM)观察要求样品厚度在100 nm以下,因而对高分子材料需经过前处理,而冷冻超薄切片适用于高分子材料的前处理,是一种有效的透射电镜制样方法.不同的高分子材料其厚度、强度、韧性、玻璃化转变温度以及吸水性都有所差别,因此材料的前处理...     

Fe6与NO反应的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论（DFT-Density Functional Theory）中的B3LYP方法在6-311+G(d,p)的计算水平上研究了Fe6+NO→Fe6O+N反应的相关微观机理。全参数优化了二十重态以及二十二重态反应势能面上各驻点的几何结构,用频率分析法以及内禀反应坐标（IRC- Intrinsic Reaction Coordinate）方法对过渡态进行了验证,得到了该反应的微观反应路径和反应势能面,并用两态反应分析其反应机理。通过对反应过程的分析发现,反应在二十重态以及二十二重态势能面上的反应路径是相似的,势能面上的一个交叉点能增加反应放热,有效地降低反应的活化能,为整个反应体系提供了一条能量较低的反应路径。     

SRAM版图布局方向对产品失效率的影响

静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失效位点,通过离子聚焦束(FIB)切片及扫描电子显微镜(SEM)分析造成失效的异常物理结构,结合平台同类产品的设计布局对比及生产过程中光刻工艺制程的特点,确认失效的具体原因。对可能造成失效的工艺步骤或参数设计实验验证方案,根据验证结果制定相应的改善措施,通过良率测试及SEM照片确认改善结果,优化工艺窗口。当SRAM中多晶硅线布局方向与测试单元中一致时,工艺窗口最大,良率稳定;因此在芯片设计规则中明确SRAM结构布局方向,对于保证产品的良率具有重要意义。     

一种低功耗高可靠上电复位电路的设计

设计了一种低功耗高可靠上电复位电路。为了减小阈值电压受工艺及温度偏差的影响,采用改进的Kuijk带隙基准源结构;同时,设计了带迟滞功能的双阈值电压检测电路,减小了电源噪声对电路输出的干扰。采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,在5V电源电压及典型工艺和温度下,整体电路消耗稳态电流为8.5μA;在不同的电压、工艺角及温度组合下,均实现了稳定可靠的上电复位和低电平保护功能,达到了设计要求。     

Fe_6与NO反应的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论(DFT-Density Functional Theory)中的B3LYP方法在6-311+G(d,p)的计算水平上研究了Fe_6+NO→Fe_6O+N反应的相关微观机理.全参数优化了二十重态以及二十二重态反应势能面上各驻点的几何结构,用频率分析法以及内禀反应坐标(IRC-Intrinsic Reaction Coordinate)方法对过渡态进行了验证,得到了该反应的微观反应路径和反应势能面,并用两态反应分析其反应机理.通过对反应过程的分析发现,反应在二十重态以及二十二重态势能面上的反应路径是相似的,势能面上的一个交叉点能增加反应放热,有效地降低反应的活化能,为整个反应体系提供了一条能量较低的反应路径.     

试论网络时代广播新闻的影响力

当下，热点的舆论事件时时不断，新闻媒体更是不断向人们传递着信息，真假暂且不谈，大众传媒的力量像洪水猛兽般汹涌而至，现代的人们还没来得及品读今日的新闻，就已经被明日见报的各类资讯搞得晕头转向。各路新闻媒体依仗网络这股可怕又惊人的力量来传播他们的心声，诸多名人，在网络时代广播新闻的影响下，被推到了社会的风口浪尖     

一种应用开关电容分压的电源电压检测电路

提出了一种基于标准CMOS工艺的电压检测(Voltage Detector, VD)电路,具有高集成度、低功耗、检测点多档位可调节的特点。开关电容(Switched Capacitor, SC)电路仅需一个低频时钟即可提供准确的电源分压,在低功耗应用中可以有效替代传统电阻分压。在3.3V电源电压的MCU应用中,电压检测电路仅消耗几百nA的电流,对时钟变化不敏感（低频时钟频率变化范围4 kHz~40 kHz）,并且响应时间在一个时钟周期内     

不愿独背垃圾短信黑锅SP愤而揭露运营商丑闻

用户为垃圾短信变色的社会现象让SP饱受舆论指责。部分SP为了给整个行业正名,将矛头指向了运营商。     

Fe/Fe_2和NO反应的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论(Density Functional Theory)中的B3LYP方法在6-311+G(d,p)的计算水平上研究了Fe/Fe_2与NO反应的相关微观机理.全参数优化了Fe+NO和Fe_2+NO反应体系在不同重态反应势能面上各驻点的几何结构,并用频率分析法以及内禀反应坐标(Intrinsic Reaction Coordinate)方法对过渡态进行了验证,得到了相对应的反应的微观反应路径.用"两态反应"分析反应机理,计算结果表明2个体系的优先选择路径均为低自旋态进入和高自旋态离开反应.通过对2个体系反应活化能的比较,Fe_2+NO体系更易进行.     

Fe2与SO2反应的密度泛函理论研究*

摘 要：采用密度泛函理论（DFT-Density Functional Theory）中的B3LYP方法在6-311+G(d,p)的计算水平上研究了Fe2+SO2→2FeO+S反应的相关微观机理。全参数优化了七重态以及九重态反应势能面上各驻点的几何结构,用频率分析法以及内禀反应坐标（IRC- Intrinsic Reaction Coordinate）方法对过渡态进行了验证,得到了该反应的微观反应路径和反应势能面,并用两态反应分析其反应机理。通过对反应过程的分析发现,反应在七重态以及九重态势能面上的反应路径是相似的,势能面上的两个交叉点能增加反应放热,有效地降低反应的活化能,为整个反应体系提供了一条能量较低的反应路径。