磷在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中的结合方式

将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁移率,发现所有样品均为p型,其空穴浓度远小于晶体中磷的总浓度。空穴浓度也随着汞分压的增加而增加,这和在不掺杂晶体中观察出的现象不大相同。同时,在低汞压下,掺杂样品中,空穴浓度比不掺杂晶体中空穴浓度小。在77K时掺杂样品中的空穴迁移率接近于非掺杂样品中的空穴迁移率。这些结果表明磷在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te(s)中呈现两重性,在高汞压下磷占据了填隙和碲的晶格点位置而呈现为一价的受主,在中低汞压下磷占据汞的晶格点而表现为一价的施主,由于填隙和代位的磷结合形成配对,因而大多数的磷似乎是以电中性对的形式存在。在低汞压情况下大部分磷似乎是以代位磷和汞空位形成的带正的和负的电荷对出现。本文计算了各类磷结合方式的热力学常数,满意地解释了这些实验结果。     

HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明,研磨造成的晶片表面可见损伤,经机械和溴－乙醇化学抛光后将减少和去除。然而,化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出,这些凹凸可能是溴－乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。     

由测量转移损失确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)的转移噪声

本文描述了由测量转移损失来确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)中表面态引起转移噪声的简单方法。我们测量了二相交迭多晶硅电极长沟道SCCD器件中的转移噪声,测量温度为77～325K,频率为1KHz～1MHz。实验数据和理论计算值的一致性,证实了这个方法是正确的,理论计算值是以分别测得的表面态密度和俘获截面值而得到的。     

碲镉汞晶片的多晶化与形变织构

本文重点介绍采用X射线衍射仪对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析。在只经研磨的晶片的X射线衍射图谱上,2θ角在20°～90°的范围内有(111),(220),(311),(331),(420),(422)等品面的衍射峰出现,属多晶衍射谱。将此晶片仔细抛光后,其衍射峰数目急剧下降。通常只有一个峰,有的为(111),有的为(220)或(420)等。     

碲镉汞单晶片的多晶化与形变织构

本文重点介绍采用X射线衍射分析法对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析,只经研磨的晶片的X射线衍射图上2θ从20°到90°的范围内,有(111)、(220)、(311)、(420)……等晶面的衍射峰出现,实属多晶衍射谱,将晶片抛光后,其衍射峰数目急剧下降。一般只剩下一个衍射峰,有的为(111),有的为(220),或(420)等不一。表明经抛光后的晶片为单晶片。对一定数量的晶片反复经研磨—衍射分析—抛光—衍射分析,其衍射谱也就多峰-单峰交替出现。实验过程中还发现大部分晶片在经受研磨后的衍射谱中,(110)面的二级衍射,即(220)峰出现强化的几率最大。此现象表明研磨能导致择优取向,出现形变织构。本文从X射线衍射原理和晶体范性形变的X射线研究出发,结合碲镉汞晶体的结构特征和所具有的滑移特点,对晶体的多晶化和形变织构的形成机理进行了初步探讨。