用于射频 微波和毫米波的先进的信道化技术 二

5 声和静磁信道化 在低损耗单晶材料表面或体内传播的声波和静磁波分别用于声和静磁信道机。因为这些波的速度比自由空间电磁波慢几个数量级,所以采用这些技术的信道机可作到小型化。相位信息能用声和静磁信道机保持。     

微波延迟线用大功率ZnO薄膜换能器

本文介绍大功率微波换能器用ZnO薄膜的制备及性能。采用这种薄膜的换能器用于Au/Cr/ZnO/Au/Cr/c-A1_2O_3结构的延迟线,在f_0=3GHz时,实测输入平均功率可达1W,脉冲功率可达10W以上。     

2μs低损耗声体波微波延迟线

通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺.研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线.     

倍频程宽带声体波微波延迟线

报道了采用ZnO压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率2～6GHz，延时0．2μs，插入损耗波动≤6dB．     

重组嵌合受体anti-erbB2 scFv-CD28-ξ全基因合成及其真核表达载体的构建

通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺.研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线.     

微波声体波延迟线

本文介绍了在2—4GHz频率范围声体波延迟线的设计.该器件是在Al_2O_3单晶或LiTaO_3棒端面上溅射ZnO压电薄膜组成的一维纵向振动换能器结构.器件典型参数值为:中心频率2—3.4GHz;延时2—3μs,插损35—55dB;电压驻波比小于3.5,带宽10—20%.     

ZnO压电薄膜双面共溅生长技术

在只有一个靶源的情况下,利用改良的夹具,在钇铝石榴石(YAG)晶体的两端用反应磁控溅射法同时溅射生长ZnO压电薄膜.对ZnO压电薄膜做了X一射线衍射(XRD)分析,测试了用双面方法制作的声体波薄膜换能器的回波损耗.结果表明,采用双面共溅工艺生长ZnO压电薄膜有效地解决了第一端换能器压电性能退化的问题,提高了两端换能器压电性能的一致性,提高了生产效率.     

大功率反射式体声波微波延迟线

本报告介绍了采用Au/Cr/ZnO/Au/Cr/Z-Al_2O_q一维纵向薄膜换能器结构,研制成大功率反射式体声波单端口网络的微波延迟线.在中心频率f_0=2780MHz,带宽△f=200MHz,延时t_1≥8μs,t_2≥16μs,电压驻渡比VSWR≤2.0,匹配状态下承受脉冲功率20W.     

ZnO/玻璃结构SAW TV-IF滤波器的研制

本文扼要地叙述了一种结构新颖、性能优良、材料来源丰富、价格便宜、适宜批量生产的ZnO/玻璃结构的SAW TV-IF滤波器的设计方法,结构样式及材料特点.并简要地提示了有关制作工艺及注意问题.     

毫米波段高效多层ZnO薄膜声换能器

我们已经制作出多层ZnO声换能器,作为毫米波段高效声波激励。换能器由厚度为半波长的具有交替晶体结构的ZnO薄膜构成。在液氮温度下测量双向未调谐转换损耗,近29GHz时为27dB,96GHz时为50dB。