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Based on scalar diffraction theory, 8-phase-level 256×256 elements diffractive microlens array with element dimension of 50×33 μm2 have been fabricated on the back-side of PtSi(3~5 μm) infrared CCD. The measurement results indicated that the ratio of the signal-to-noise of the infrared CCD with microlens was increased by a factor of 2.8. 相似文献
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使用FPGA内部资源BlockRam实现异步FIFO,因为未使用外挂FIFO,使得板卡设计结构简单并减少了硬件板卡的干扰,给硬件调试工作带来了方便,也充分体现了FPGA的优势,这种方法对设计异步FIFO使用具有很好的借鉴意义。实验通过VERILOG编程实现异步FIFO,对程序进行了功能仿真、时序仿真,并下载到FPGA芯片中进行了硬件仿真,实验结果达到了预期的参数要求,完成了FIFO软硬件设计。 相似文献
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256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了 2 .0倍 . 相似文献
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热响应时间是微测辐射热计的关键参数,它会制约非制冷红外探测器的最高工作帧频。热响应时间的像元级测试能够真实反映传感器的物理热响应时间,为产品设计优化提供及时、有效的数据支持,因此准确测量该参数具有十分重要的意义。但目前像元级测试方法均未能有效补偿微测辐射热计的自热效应,无法精准地测量热响应时间。基于频率响应法测试了微测辐射热计的有效热响应时间。通过用电阻温度系数对自热效应进行补偿,可以精确测量物理热响应时间。通过实验分析了不同偏置电流下测得的物理热响应时间。结果表明,该方法准确度高,稳定性强。 相似文献
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Nanocrystalline VO2 films with phase transition temperature 34℃ have been fabricated on SiaN4-film-coated silicon and quartz substrates by argon-annealing films of metastable VO2(B). The original VO2(B) films are obtained by ion beam sputtering in an argon-oxygen atmosphere at 200℃. The nanocrystalline VO2 films exhibit strong changes in electrical and optical properties when a phase transition is completed. The phase transition temperature in the as-fabricated samples is about 34℃, which is smaller in comparison with 68℃ in the singlecrystalline VO2 material. A lower phase transition temperature is favorable for device applications such as smart window coating and low power consumption optical switching. 相似文献
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128元非致冷氧化钒红外探测器的制作 总被引:8,自引:5,他引:3
采用新工艺在氮化硅衬底上制备了室温时电阻温度系数为 - 0 .0 2 1K-1的氧化钒薄膜 ,以此为基础 ,利用光刻和反应离子刻蚀工艺在硅衬底上制作了 12 8元氧化钒红外探测器 .为了降低探测器敏感元与衬底间的热导 ,设计制作了自支撑的微桥结构阵列 .测试结果显示探测器的响应率和探测率在 8~ 12 μm的长波红外波段处分别达到10 4V/W和 2× 10 8cmHz1/ 2 W-1. 相似文献