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1.
激光晶体中的一种新型夹杂物   总被引:1,自引:0,他引:1  
在BeAl_2O_4:Cr~(3+)晶体生长中发现一种新型夹杂物。用电子探针进行了组分分析并对其形成机制作出了解释。  相似文献   
2.
稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长   总被引:4,自引:2,他引:2  
用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐-Y2 SiO5单晶体.使用设备是一台中频感应加热炉.文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2 SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好.  相似文献   
3.
介绍了用提拉法生长的Mg_2SiO_4:Cr~(3+)单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800~1400nm,吸收谱中有一定的Fe~(3+)吸收。  相似文献   
4.
Cr,Ca:YAG晶体中Cr的吸收和退火特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Czochralski法生长了Cr4+:YAG可调谐激光晶体,对样品进行氧化气氛高温退火实验,分析比较了退火前后Cr4+吸收特性的变化,发现退火后样品中Cr4+的吸收显著增强;Cr3+的主要吸收峰值红移,并提出相应模型对此现象进行了解释。  相似文献   
5.
用不同方法研究了生长晶体过程中得到的失透样品、透明晶体样品以及透明晶体中的夹杂物.研制出无散射中心的激光棒,其光学均匀性为0.25λ/时,激光阈值34j,色心晶体调Q后线宽为0.01(?).  相似文献   
6.
用Czochralski法生长了Cr4+:YAG可调谐激光晶体,对样品进行氧化气氛高温退火实验,分析比较了退火前后Cr4+吸收特性的变化,发现退火后样品中Cr4+的吸收显著增强;Cr3+的主要吸收峰值红移,并提出相应模型对此现象进行了解释。  相似文献   
7.
本文论述了铝酸铍晶体生长中的夹杂物与晶体生长习性间的关系.观察到夹杂物沿晶体生长最快的方向分布,并作了初步解释.  相似文献   
8.
掺铬铝酸铍晶体作为可调谐激光晶体,在近几年来颇受国内外重视。这种晶体激光器能室温运转,可调谐范围宽,结构简单,输出功率高。目前在民用或军事应用上已开始应用,有可能会有更广泛的应用。我们的工作表明,铬酸铍晶体生长的研究中主要存在着防毒、铝酸铍相形成动力学以及熔体老化等特殊问题。 (1)我们在配料过程中,为防铍尘毒害,改革了操作设备、工艺条件,使配料间内的空气中铍含量降至0.5微克/米~3,符合国家劳保条例的要求。 (2)由于我们配料条件不同,铝酸铍相形成条件与粉末混匀料不同。实验表明,铝酸铍相  相似文献   
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