新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数

分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用，Ｓｃｒ取０．３０．用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数．用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数，直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系．本文同时修正了Ａ１－ｘ－ｙＢｘＣｙＤ型四元合金带隙的计算公式．     

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究

给出激光化学汽相沉积法制备a-Si₃N₄纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si₃N₄纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si₃N₄纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si₃⁰在富硅a-Si₃ 关键词：     

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌｍ,Ｎ薄膜中的载流子浓度进行评价研究,发现电８学法和光学法测量的结果可以很好地吻合,从而确认了ＺｎＳｅ宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平。     

p+-ZnSe∶N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .     

Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用

ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得．人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的加入能有效地改善器件的性能．由于对Ｂｅ基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（ＬＣＡＯ）方法计算了Ｂｅ－Ⅵ化合物及其他Ⅱ－Ⅵ族化合物价带的ｏｆｓｅｔ．结合带隙的实验值，给出了Ⅱ－Ⅵ族化合物导带的ｏｆｓｅｔ．粗略分析了Ｂｅ基二元化合物用于ＺｎＳｅ载流子限制的可能性．根据虚晶近似，用插值方法计算了Ｂｅ基四元合金相对于ＺｎＳｅ价带、导带的ｏｆｓｅｔ．     

Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究

本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。     

论《高科技材料给电视舞台美术带来的利与弊》

近一段时期,除中央台的春晚及上海台等几个大台外,我们不难看到,全国各大电视台之间的晚会上,除了LED等新手段的应用外,还是LED,地方台的个性少了,地方台的文化特色没了.在千篇一律的LED的模仿使用下,在简单的、毫无创意的舞台变化下,我们悄然不知地丢失了多少具有创意的设计思想、具有创新的制作手段.多数设计师总是在思索着:LED用多大?用多少?怎么用?而其余的制作手段一概不考虑,有的甚至是不知晓.因而,单一地高科技手段模仿,何以达到一档综艺节目的“品质、品位、品格”呢?由此,不得不让人去思考:在高科技突飞猛进发展的今天,为什么人类一些最本质、最宝贵的东西却在不断地退化?而舞台高科技的发展,在给电视舞台美术带来辉煌的同时,究竟是利大于弊?还是弊大于利呢?要解答这个问题,就不得不谈到舞台材质的视觉差异及对舞台材料的正确认识和使用.