晶体管的二次击穿及检测

晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区（SOA）的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了器件的电性能、应用电路以及环境温度与二次击穿的关系,从而为晶体管避免二次击穿提供了方向。最后介绍了...     

数字晶体管f_T测试误差分析

特征频率fT是数字晶体管的一项重要参数。文章叙述了普通晶体管特征频率fT的测试原理,并从模拟数字晶体管的等效电路着手,通过理论推导,深入分析了fT产生测试误差甚至无法测量的原因。指出基极串联电阻的接入破坏了基极注入信号必须是恒流的测试条件;基极-发射极并联电阻的接入对测试信号起到了分流作用。在这两方面共同作用下,经被测管放大后的集电极信号减小,导致增益下降,必然会产生很大的测试误差。同时文中进行了一系列的试验,与分析结果相符合,并分别给出了串联电阻和并联电阻对fT影响程度的具体数据及曲线图,可为数字晶体管的生产厂商和使用单位的有关人员提供帮助,也可供测试仪器制造厂家的研发人员作为参考。