(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构制备及表征

采用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001,基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构.X射线衍射分析证明(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n具有明显的超晶格结构.电流垂直于薄膜表面测得的电阻-温度关系表明.La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格薄膜在290 K有金属-绝缘体转变,略低于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜的转变温度.电流在0.01-10 mA范围内,观察到薄膜的峰值电阻随电流增大而减小,峰值变化率远大于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜,且随着超晶格周期厚度的增加而增大.低温下,电流-电压曲线表明其导电机制应主要为空间载子限制,且显示较大的电压偏置,表现出肖特基结的特性.     

多铁性BiFeO3/SrTiO3多层膜的透射电镜研究

本文利用透射电子显微镜（TEM）研究了由磁控溅射法生长的多铁性BiFeO3/SrTiO3多层膜的微观结构。衍衬分析及高分辨电子显微（HRTEM）像显示出界面清晰的各个单层。BiFeO3外延生长在SrTiO3（001）衬底上,生长方向沿基体c轴。随着薄膜厚度的增加,即多层膜周期的加长,层与层之间界面不再平直。原子序数Z衬度成像,EDS线扫以及各种元素的能量过滤综合分析确定了多层膜的成分变化特征。     

SnO2微纳米材料的合成及其生长机理研究

利用简单的化学气相沉积法,以Sn粉为源材料合成不同形貌的一维SnO2纳米棒、纳米线和纳米花等纳米结构,并通过减小载气中的氧含量获得新颖的SnO2亚微米环状结构.通过调节Sn粉的量和载气中的氧含量、升温速率等试验条件,有效实现SnO2一维纳米结构的控制生长.采用扫描电子显微镜、能谱仪和X射线衍射仪表征产物形貌、成分和物相结构,并探讨了SnO2微纳米材料的生长机理.     

SnO2微纳米材料的合成及其生长机理研究

利用简单的化学气相沉积法,以Sn粉为源材料合成不同形貌的一维SnO₂纳米棒、纳米线和纳米花等纳米结构,并通过减小载气中的氧含量获得新颖的SnO₂亚微米环状结构.通过调节Sn粉的量和载气中的氧含量、升温速率等试验条件,有效实现SnO₂一维纳米结构的控制生长.采用扫描电子显微镜、能谱仪和X射线衍射仪表征产物形貌、成分和物相结构,并探讨了SnO₂微纳米材料的生长机理. 关键词： 2')" href="#">SnO₂ 纳米结构 亚微米环 生长机理     

(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构制备及表征

采用射频磁控溅射的方法在SrTiO₃（001） 基片上制备了（La_0.7Sr_0.3MnO₃）_m（BiFeO₃）_n超晶格间隔的La_0.7Sr_0.3MnO₃三明治结构.X射线衍射分析证明（La_0.7Sr_0.3MnO_{关键词： 超晶格薄膜 电诱导效应 隧道效应}