基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

随着移动通信技术的发展,射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO）,是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管,MOS变容管便应运而生了。     

一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计

为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6～40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.     

一种14位400MS/S分段型电流舵DAC的设计

基于TSMC O.25μm CMOS工艺,采用分段开关电流结构,设计了一种基于2.5 V电源电压的14位400MS/s D/A转换器.该D/A转换器内置高精度带隙基准源、高速开关驱动电路和改进的Cascode单位电流源电路,以提高性能.D/A转换器的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于0.5 LSB.在400 MHz采样频率、199.8 MHz输出信号频率时,其无杂散动态范围(SFDR)达到85.4 dB.     

高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.     

1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计

在一个无线接收系统中，为了获得良好的总体系统性能，需要一个性能优越的前端，而低噪声放大器（LNA）就是前端的一个重要组成部分。     

功率型LED模组基板横/纵向散热性能研究

为了研究LED模组的散热性能,对其基板的横向和纵向散热性能进行了对比研究。首先建立加快基板横向和纵向散热性能的有限元模型,即在基板上覆盖高导热层和基板内添加高热导率热沉结构。并运用有限元(FEM)分析方法对两种基板的散热效果以及基板和LED芯片温度分布的均匀性进行了对比分析。最后,对于基板上覆盖高导热层的结构,结合实际工艺和散热性能的考虑,进一步优化了高导热层的厚度。     

电流舵D/A转换器的随机误差建模

电流源的失配是制约电流舵D/A转换器精度的一个重要因素.它是一个随机现象,需要用统计的观点进行分析.两个晶体管之间的失配,既与晶体管尺寸有关,又与晶体管之间的距离有关.以往的分析中,只考虑了尺寸相关项,而忽略了距离相关项.文章分析了基于距离相关项的随机误差,推导出每个数码的INL表达式,并用Matlab对不同开关序列下D/A转换器的成品率进行仿真,得出用SG算法优化开关序列,可大大减小距离相关项的影响.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

实现折叠共栅共源运放MST的时钟馈通频率补偿方法

该文基于二阶系统最小建立时间(MST)理论和阶跃响应分析,提出了一种新型的时钟馈通频率补偿方法.该方法通过MOS电容引入时钟馈通进行频率补偿,无需对运放结构和参数进行调整.在Cadence ADE仿真环境下运用SMIC 0.35μm 2P3M Polyside Si CMOS模型参数,对折叠共源共栅放大器进行了模拟分析.结果表明,补偿后的运放实现了MST状态,并缩短了建立时间22.7%,提高了其响应速度.在0.5pF～2.5pF负载电容范围内,其建立时间近似线性变化,且对应每一负载电容值均达到MST状态.该方法可望应用于高速有源开关电容网络及其相关领域.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.