衬底温度对纳米晶SnO_2薄膜结晶特性的影响

阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜。通过测定x射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化。     

基于CMOS图像传感器的成像系统设计

以OV 5 116CMOS图像传感器为例 ,讨论了基于CMOS图像传感器的成像系统的电路设计方法及系统设计中应注意的问题 ;并通过对CMOS图像传感器外围电路的优化设计实现了成像系统的微型化和轻量化。     

SoC嵌入式flash存储器的内建自测试设计

深亚微米技术背景下，嵌入式存储器在片上系统芯片(system-on-a-chip，SoC)中占有越来越多的芯片面积．嵌入式存储器的测试正面临诸多新的挑战。本文论述了两种适合SoC芯片中嵌入式flash存储器的内建自测试设计方案。详细讨论了专用硬件方式内建自测试的设计及其实现，并且提出了一种新型的软硬协同方式的内建自测试设计。这种新型的测试方案目标在于结合专用硬件方式内建自测试方案并有效利用SoC芯片上现有的资源，以保证满足测试过程中的功耗限制，同时在测试时间和芯片面积占用及性能之间寻求平衡。最后对两种方案的优缺点进行了分析对比。     

示波法测定交流等效参数

交流等效参数的测定是高校普通物理实验中的很重要的内容.目前多采用交流电桥法,Q表法和三表法.本文介绍的示波法较上述方法具有形象直观,简便易行的优点.     

纳米晶SnO2薄膜的结晶特性

采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE-SEM表面及断面形貌.     

一种电容式Al2O3湿度传感器

在单晶Si片上热生长一层SiO2薄膜，采用真空淀积的方法制备一层Al薄膜，然后利用铝阳极氧化的方法获得一层多孔Al2O3薄膜。设计制作了电容式Al2O3湿度传感器，测试结果表明，该器件具有较好的感湿特性和较宽的感湿范围。     

倾斜型声表面波滤波器的模拟与设计

简述了倾斜型声表面波(SAW)滤波器的研究进展,介绍了倾斜型SAW叉指换能器的工作原理,并提出了多段倾斜结构,基于脉冲响应模型模拟的结果显示,通过将SFIT指条分段倾斜,改变倾斜斜率可以实现各种幅度频率响应.     

用于中频SAWF的本征窗最小二乘设计

提出了将本征窗函数法和数学上的最小二乘原理相结合的声表面波滤波器设计方法。该方法具有本征函数法和窗口函数法的优点,同时又采用了最小二乘法来提高设计精度。减小了叉指条数,并可以实现高的阻带衰减。     

阶梯型射频SAW滤波器的计算机模拟

简述了射频声表面波滤波器(RF—SAWF)的研究进展，讨论了谐波法中的阶梯型又指换能器(IDT)结构的等效电路模型。并根据该模型计算并模拟了RF—SAWF的幅频响应，模拟结果证明阶梯型IDT可有效地激发高次谐波，抑制基波和其他无用谐波。     

纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况