用于3.3 V电源的高维持电压ESD防护器件

为了解决传统LVTSCR易发生闩锁效应的问题,提出了一种增强型嵌入P浅阱可控硅(EEP_LVTSCR)结构。通过在传统LVTSCR中NMOS管漏极与阳极之间植入PSD/NSD有源区,引入了额外的复合作用,降低了发射极注入效率;通过NMOS管下方P浅阱增强基区的复合作用,同时降低了PNP、NPN管的电流增益,提高了维持电压。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件模拟了新型EEP_LVTSCR和传统LVTSCR的电流电压(I-V)特性。仿真结果表明,新型EEP_LVTSCR的维持电压从传统的1.73 V提升到5.72 V。该EEP_LVTSCR适用于3.3 V电源的ESD防护。     

CdS薄膜的制备、结构和光致发光性能

CdS薄膜是一种n型半导体材料,用于CdTe多晶薄膜太阳电池的窗口层,其质量直接影响太阳电池的光电转换效率和寿命。用磁控溅射法制备了CdS薄膜,通过对薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光和紫外-可见光谱等测试,研究了CdS薄膜的制备工艺对薄膜结晶度、表面形貌和禁带宽度的影响关系。研究发现,随着CdS薄膜溅射功率的升高,薄膜的结晶度变好,晶粒增大,薄膜增厚,光致发光峰强度增加,禁带宽度减小;随着溅射气压减小,薄膜厚度增大,光致发光峰强度减小,禁带宽度减小。     

一种用于高压防护的新型闩锁免疫LDMOS

横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMOS的鲁棒性相对较差,这是器件自身固有的不均匀导通特性和Kirk效应导致的.可将可控硅整流器(SCR)嵌入到LDMOS结构(即NPN_LDMOS)中.然而,SCR固有的正反馈效应...     

基于通信工程项目的质量管理研究

进入21世纪以来,世界社会已经进入了信息化新时代,各种数据、海量信息不断传播,通信工程也开始全面普及,改变了人们的日常生活方式与工作方法.现如今,科学技术不断更新,人们对通信工程项目也有了更高的要求,传统的通信质量较差,信息接收能力不好.基于这样的情况,我国通信工程项目管理工作必须坚持创新,提出确保质量有效把控的新方法,进一步完善我国的通信工程.     

用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR结构

基于横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的可控硅结构(LDMOS_SCR)因其较强的单位面积电流处理能力和出色的高压特性,通常用于高压下的静电防护。通过将原本浮空的漏极N+分割为对称的P+、N+和P+结构,提出了一种基于LDMOS_SCR的双向防护器件。该器件具有低触发和高维持电压。通过降低形成在栅极区域底部的寄生双极晶体管的发射极注入效率,减少了SCR固有的正反馈增益。基于TCAD进行仿真,实验结果表明,与传统的LDMOS_DDSCR相比,新型器件的触发电压从69.6 V降到48.5 V,维持电压从14.9 V提高到17 V,证明了提出的结构与传统LDMOS_DDSCR器件相比具有出色的抗闩锁能力