碳在面心铁-镍合金中扩散峰的机构

固溶在面心铁—镍合金中的碳原子,能引起一个应力感生的扩散内耗峰。当振动频率约为1.4周/秒时,峰的位置在500°K附近。固溶的碳原子可以跳入点阵空位中而成为代位式碳原子,此碳原子舆另一个最近邻的间隙碳原子相结合后即形成一组碳原子对。在外加应力的作用下,这类碳原子对轴的择尤旋转便引起了内耗。根据这个机构并结合内耗测量过程中试样内部碳原子重新分布的情况,可以推导出碳浓度和内耗峰高度之间的定量关系,并从而求出合金的点阵空位形成能和构成碳原子对时所放出的能量。铁—镍合金中碳扩散峰的特徵是:峰的二边内耗曲线不对称,在高温的一边,内耗反而比低温的一边为低。峰的位置T′随淬火温度或碳浓度之增加而渐向低温移动;峰愈出现在低的温度,T′Q_max^-1相乘积就愈大。根据本文所提出的理论,对这些特徵作了解释。     

STAGNANT LAYER EFFECT IN CVD PROCESS

It is clearly shown that the stagnant layer effect is present in entire temperature range in CVD process by pyrolysis of silane. The Curves in logarithmic growth rate vs reciprocal temperature plot can be divided into three straight line ranges. In high temperature region the rate-controlling mechanism is the diffusion of silicon atoms, but not of silane, which pass through the stagnant layer after thermal decomposition of silane. In intermediate and low temperature region the growth rate-controlling factor is the decomposition rate of silane in the stagnant layer, but not the surface reaction process. Owing to the difference in ratecontrolling mechanism the growth rate has different dependences on the height of stagnant layer. In intermediate and low temperature region the growth rate is proportional to the stagnant layer height, but in high temperature region it is inversely proportional to the square of the stagnant layer height.     

面心立方金属和合金中的碳内耗峰

本文从理论上和实验上总结和阐明了面心立方金属和合金中碳内耗峰的物理机构,以间隙碳-空位碳原子对模型来解释面心纯金属中的碳内耗峰,以MV-CC,金属原子(M)-空位碳(V-C)-间隙碳(C),原子团模型来说明面心合金中的碳峰。     

氧对a-Si:H光诱导效应的影响

研究了氧掺杂对a-Si:H光诱导Staebler-Wronski效应的影响(随着掺氧量的增加,光诱导效应减弱)。在掺氧的a-si:H中,红外吸收光谱显示出氧原子主要作为氢原子附近的弱Si-Si键的桥键原子。吸收系数和光子能量的关系表明有Urbach吸收边存在,且微量氧将使a-Si:H网络的无序度降低。同时,光照大大促进桥键氧原子的耦合,弱Si-Si键被打断。因此,掺氧的a-Si:H膜的Staebler-Wronski效应减弱是由于微量氧原子稳定了弱Si-Si键的缘故。     

面心合金中碳内耗峰的MV-CC原子团模型

本文研究了3％Co,3％Mn和3％Cr分别对Fe-35％Ni合金中碳内耗峰的影响。提出了一个原子团MV-CC,即合金原子(M)-空位碳(V—C)-间隙碳(C),力偶极子模型。并在分别加3Co,3Mn和3Cr的Fe-35％Ni合金的内耗实验中予以证明。     

碳在面心立方系合金钢与金屬中微扩散所引起的内耗峰

用扭摆作内耗测量,发现了几种面心立方系合金钢(18/8型不锈钢及高锰钢)中含碳可以引起内耗峰。当振动频率约为每秒1周时,峰的巅值温度在200-300℃之间。当钢中固溶体的碳量增多时,内耗峰升高而峰的位置移向低温,当钢中所含的碳因回火而发生沉淀时,内耗峰降低而峰的位置移向高温。把内耗方法所测得的激活能、弛豫时间和由此计算所得的扩散系数与资料上所载的碳在面心立方系的钢中宏观扩散的数据相比较,指出所观测的内耗峰确是由于碳在钢中的微扩散所引起来的。用同样的实验方法也发现了碳在镍铝合金及在纯镍中由于微扩散而引起的内耗峰。这些实验指出,碳在面心立方系晶体中微扩散而引起内耗峰这件事实,可能是一种普遍的现象。     

SOS膜的铝自掺杂剖面

用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释.     

镁-钇稀固溶体的应变时效

其中R,θ是极坐标;μ是切变模量;b是柏氏向量;εr是以一个溶质原子代替一个溶剂原子时半径的改变;r是溶剂原子的半径。 由于溶质原子与位错有交互作用,因此溶质原子要向过度应变晶体中的静止位错迁动,形成气团,从而把位错钉扎住,这就是所谓应变时效现象。Cottrell,Bilby应用(1)式处理了应变时效的动力学过程,得到在t时间内分聚到位错上去的溶质原子数N是     

HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化

用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10％ HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4％的HCl氧化物的钝化效率为 99.5％到 99.99％。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度.     

铝-镁合金的高温变形机构

用变温变速的拉伸试验,研究了Al-3％Mg和Al-6％Mg合金的高温变形行为,求得各温度下的激活能、激活体积和频率因子等。证明在250—400℃温度范围内,铝-镁合金变形机构可能是带割阶的螺位错作非保守性运动,变形方程为ε=Nι_jb²zAνexp{-(△H_s-ι_jb²τ)/(kT)}。然后计算得到两种合金在不同温度下的割阶间距ι_j,运动位错密度ρ=Nι_j,割阶密度N以及位错速度等数值。