室温下碲镉汞双稳态装置对TEACO_2激光器不稳定输出的整形作用

在许多条件下,经常会出现脉冲激光器的输出不稳定的情况,严重影响实验的结果,为此,我们提出了一种基于双光子双稳性及基临界延迟作用的碲镉汞脉冲整形器,在室温下实现了对由TEA CO_2激光器输出的脉宽100ns(FWHM),抖动频率高于30MHz的不稳定脉冲的整形,从而产生了与稳定输出非常相似的整形脉冲信号。     

窄带半导体光学双稳性的稳态特性

本文提出了一个窄带半导体双光子光学双稳性的稳态理论模型。分析了InSb、HgCdTe的光学双稳性的稳态特性,并从实验上获得了理想的脉冲整形效应。     

InSb非线性F-P标准具的室温光学双稳性和不稳定性

用TEA CO_2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。从非线性F-P标准具理论出发,对上述过程进行了计算机模拟。在相似条件下,改用高斯光束入射,发现由此形成的自散焦效应,使输出产生明显不稳定。     

大气压氦气介质阻挡放电中的周期一不对称放电实验研究

大气压介质阻挡放电不仅具有对称周期一的放电形式, 还会在一定参数下呈现不对称周期一(AP1)放电. 本文采用具有平行电极结构的介质阻挡放电装置, 分别在气隙宽度1 mm, 3 mm, 7 mm和10 mm下的大气压氦气中进行了一系列放电实验, 研究了气隙宽度和外施电压频率对周期一放电对称性的影响. 实验结果表明: 在较宽的气隙宽度和外施电压频率参数区间内可以观察到显著的AP1放电; 气隙宽度越大越容易产生AP1放电, 同一气隙宽度下外施电压频率较高时则相对更容易观察到AP1放电; 随着气隙宽度增加, 首次击穿即呈现AP1 放电的外施电压频率临界值逐渐减小. 本文的研究初步验证了之前关于气隙宽度对AP1放电影响的数值仿真结果, 由此可以推测AP1放电并不只是由系统参数的不对称引起的, 也很可能是一种在一定的气隙宽度和外施电压频率下系统固有的、内在的高频不稳定放电行为. 关键词： 介质阻挡放电 不对称放电     

MoS_2-Au共溅膜的结构与性能之研究

作者利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD),俄歇电子能谱仪(AES)和X—射线光电子能谱仪(XPS)等对MoS_2-Au共溅膜的形貌和结构进行了观察与分析,并就这种膜的厚度对耐磨寿命的影响及其抗湿性与MoS_2溅射膜的作了比较,认为共溅膜的柱状聚集体结构是其具有良好性能的原因。溅射时氩气压强对MoS_2-Au膜结构和性能影响的研究结果表明,不同氩气压强下得到的MoS_2之结晶度不同,因而共溅膜的摩擦学性能也不相同。作者还就膜与底材的结合强度同耐磨寿命的关系,以及底材表面缺陷对膜结构的影响进行了讨论。     

采用HgCdTe双稳器件实现CO_2激光脉冲整形

用HgCdTe室温双光子吸收双稳态实现了100ns(FWHM)10.6μm的CO_2激光脉冲整形器,整形范围为425～1000kW/cm~2,允许脉冲波型的子脉冲振荡超过30MHz.     

HgCdTe标准具中激光脉冲的微分和积分效应

利用 TEA CO_2激光器输出的稳定和不稳定两种脉冲,在窄禁带半导体 HgCdTe 非线性 F-P标准具中观察到了脉冲的微分和积分效应,并给出了理论分析。