A dual-mode secure UHF RFID tag with a crypto engine in 0.13-μm CMOS

An ultra-high-frequency (UHF) radio frequency identification (RFID) secure tag chip with a non-crypto mode and a crypto mode is presented. During the supply chain management, the tag works in the non-crypto mode in which the on-chip crypto engine is not enabled and the tag chip has a sensitivity of -12.8 dBm for long range communication. At the point of sales (POS), the tag will be switched to the crypto mode in order to protect the privacy of customers. In the crypto mode, an advanced encryption standard (AES) crypto engine is enabled and the sensitivity of the tag chip is switched to +2 dBm for short range communication, which is a method of physical protection. The tag chip is implemented and verified in a standard 0.13-μm CMOS process.     

应用于无线传感网络的2.4GHz低噪声放大器

采用SMIC0.13μmRFCMOS工艺设计,并实现了应用于无线传感网络的2.4GHz差分低功耗低噪声放大器。在低功耗约束下,电路采用差分共源共栅源极退化电感结构。考虑了ESD保护PAD和封装等寄生电容,分析了输入阻抗匹配、增益、噪声和线性度,提出了低功耗条件下输入阻抗匹配和噪声优化措施。芯片测试结果显示,噪声系数NF为2.5dB,输出采用片外无源网络匹配下功率增益S21为9.4dB,输入三阶交调点IIP3为-1.5dBm。在1.2V电源电压下消耗电流3.3mA。芯片面积为860μm×680μm。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

中心抽头差分电感的等效模型和参数提取

提出了中心抽头差分电感的中心抽头等效模型,对其差分应用时的单端和差分阻抗进行推导,利用两端口S参数测试提取出等效电阻值、等效电感值和品质因数.在0.35μm 1P4M射频工艺上设计并实现一个中心抽头的差分叠层电感,使用去嵌入测试的两端口S参数进行模型验证.实验测试结果表明,在自激振荡频率以内等效模型和测试结果非常吻合.     

食品安全追溯中的编码标识研究与应用

针对食品安全追溯体系建设存在编码标识不统一、难以实现数据共享和交换等问题,研究主流的编码标识规则,包括GS1编码、Ecode编码、商务部编码、EPC编码等编码体系;研发了编码类型识别服务,以GS1标准体系的EPCIS信息服务为基础,兼容异构编码,面向食品安全追溯领域研发原型系统,为建立异构编码通识通查和数据互联互通的统一追溯平台提供系统验证。     

A 900 MHz,21 dBm CMOS linear power amplifier with 35% PAE for RFID readers

A two-stage differential linear power amplifier(PA) fabricated by 0.18μm CMOS technology is presented. An output matching and harmonic termination network is exploited to enhance the output power,efficiency and harmonic performance.Measurements show that the designed PA reaches a saturated power of 21.1 dBm and the peak power added efficiency(PAE) is 35.4%,the power gain is 23.3 dB from a power supply of 1.8 V and the harmonics are well controlled.The total area with ESD protected PAD is 1.2×0.55 mm~2.Sy...     

光谱法分析固沙工程对土壤腐殖质及组分的影响

采用外加热法将土壤腐殖质(HM)及其组分富里酸(FA)和胡敏酸(HA)分别氧化后,采用光度法分析固沙工程的植被恢复(51, 43, 32, 20和0年)对腾格里沙地腐殖质及组分含量的影响;同时,采用红外光谱探讨其结构变化。结果表明,采用可见光谱学方法测定腐殖质及组分含量是可行的,结果重现性较好(变异系数最大为7.26%),比传统容量法准确、快速、简便,具有能批量测定的优点。随恢复年限增加,腐殖质及其组分含量呈现增加趋势,胡富比也呈现增加趋势,说明植被固定改善了土壤质量,土壤腐殖化程度增加。傅里叶变换光谱结果表明植被恢复不同年限的沙土同一组分的红外光谱形状基本相似,但特征峰强度有明显区别。恢复年限增加,小分子糖类物质减少,芳族类物质增加,土壤水溶性有机物芳构化程度增加。     

荧光光谱法测定生物炭/秸秆输入土壤后酶活性的变化

土壤α-葡萄糖苷酶、β-葡萄糖苷酶直接参与土壤有机物质的矿化过程,对维持生态系统碳和养分的循环起重要作用。秸秆或者秸秆炭化物还田是提高碳储量的一种有效措施,输入到土壤后对生物学活性产生一定影响,对碳库转化具有直接或者间接作用。采用荧光物质作为底物,将96微孔板和荧光检测法结合,利用多功能酶标仪测定生物炭/秸秆(2.5 g/50 g干土)添加条件下黑土中α(β)葡萄糖苷酶活性。结果表明,秸秆添加到土壤后,土壤α(β)葡萄糖苷酶活性增强,水稻秸秆处理β-葡萄糖苷酶活性高于玉米秸秆处理,40天后仍然保持较强活性,说明秸秆的输入有助于土壤碳素转化。可能是因为秸秆炭添加提高土壤中养分含量,促进微生物活性,使得土壤酶活性提高,水稻秸秆添加增强土壤酶活性,而玉米秸秆没有促进作用,可能与材料来源不同有关,材料来源与添加效应的关系有待进一步研究。而生物炭添加对黑土中α(β)葡萄糖苷酶活性影响不大,这与生物炭含速效养分少、自身难降解特性有关。与传统的分光光度法相比,微孔板荧光法可以灵敏的检测到土壤悬液中的酶活性,可批量检测样品,是一种快速、准确、简便的土壤酶活性测定方法。     

一种新型指数增益控制60dB可变增益放大器

A CMOS variable gain amplifier（VGA） that adopts a novel exponential gain approximation is presented.No additional exponential gain control circuit is required in the proposed VGA used in a direct conversion receiver.A wide gain control voltage from 0.4 to 1.8 V and a high linearity performance are achieved.The three-stage VGA with automatic gain control（AGC） and DC offset cancellation（DCOC） is fabricated in a 0.18-μm CMOS technology and shows a linear gain range of more than 58-dB with a linearity error less than ±1 dB.The 3-dB bandwidth is over 8 MHz at all gain settings.The measured input-referred third intercept point（IIP3） of the proposed VGA varies from-18.1 to 13.5 dBm,and the measured noise figure varies from 27 to 65 dB at a frequency of 1 MHz.The dynamic range of the closed-loop AGC exceeds 56 dB,where the output signal-to-noise-and-distortion ratio（SNDR） reaches 20 dB.The whole circuit,occupying 0.3 mm^2 of chip area,dissipates less than 3.7 mA from a 1.8-V supply.     

标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I-V,C-V和S参数,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压.最后给出了可用于SPICE仿真的模型.