激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合

利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦合到光纤列阵的单根光纤中.总的耦合效率和输出光功率分别为75%和15W.     

(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究

在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光

测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射.     

GaAs激光器激射波长和温度的关系以及温升的研究

一、概 述 研究激光器激射波长随温度的变化,在理论分析和实际应用中都有重要意义.这方面的工作还未见有过系统的报导.我们观察到了温度变化对应的波长移动对不同外延片的器件是各不相同的,在较高温度时还看到波长移动的斜率减小.用导带电子准费米能级的移动解释了这些现象. 脉冲工作的激光器在脉冲期间的加热主要由三个热源引起: 1.体电阻和接触电阻发热; 2.自发和受激辐射的吸收; 3.注入电子的非辐射复合. 这些热源分别作用在激光器的不同区域.第一个热源分布在整个体材料和接触电极上;第二个热源是靠近结的p边;第三个热源是作用在少数载…     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 .     

关于半导体激光器中光子密度的速率方程

一般常用的光子密度速率方程中并没有考虑法布里-珀罗谐振腔的相干增强效应.本文考虑了这个相干增强效应,得到的速率方程是光子密度的非线性微分方程.当谐振腔内光子密度很低时,新得到的经过修正的速率方程与一般常用的速率方程基本一致,但当谐振腔内光子密度较大时,这个修正因素不能被忽视.     

激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合

利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦合到光纤列阵的单根光纤中.总的耦合效率和输出光功率分别为75%和15W.     

一种内反射耦合的单纵模半导体激光器模型

提出了一种内反射耦合的单纵模半导体激光器模型。利用谐振放大器的原理计算了光谱特性。计算表明:如果选用适当腔长的激光器耦合,可以得到单纵模输出。     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为100μm,有源区厚度为1μm的大功率激光二极管(LD)的输出光束高效地耦合到芯径是50μm的多模光纤中,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出.功率密度高达3.6×104W/cm2,耦合效率为70%.LD输出光束的发散角较大并且存在较大的像散,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜.采用在一个玻璃衬底上,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现LD与多模光纤的耦合.     

1．48μm掺铒光纤放大器泵源

用Ｐ型ＩｎＰ衬底新月型（ＰＢＣ）结构制备１．４８μｍ大功率激光器，与单模光纤耦合输出功率大于４０ｍＷ．