一种JavaCard库包后下载的方法

JavaCard将标准API的定义引入了嵌入式开发,这带来了平台和应用开发的分离,使得开发更为便利.而当发行后的平台有新增功能的需求时,需要考虑在平台还是应用层来进行实现.如需在每个应用中进行实现,代码会冗余、空间占用会增大;如采用传统的补丁方式,实现又有较多限制.在避免重新掩膜的情况下,本文提出一种后下载库包的方法,将新增功能定义为库包,库包的实现采用Java包的方式,在平台上先下载实现好的库包,再下载调用库包的应用.验证表明,该方法具有节省空间、方便实现以及节省成本等优点.     

系统级ESD激励源模型研究进展

芯片级和系统级静电放电(ESD)协同设计可以有效地应对电子设备面临的ESD风险,但需要对整个ESD防护网络进行建模,特别是建立精确的系统级ESD激励源模型。文章阐述了静电枪、浪涌等两种常用ESD激励源模型的基本原理、建模和仿真方法。分析了已有模型在仿真预测中面临的挑战和存在的问题。最后,指出了系统级ESD激励源模型的发展趋势。     

一种尼龙老化评价的新方法

作为一种广泛使用的工程塑料,尼龙的老化备受关注。当作为电力系统芯片的封装材料时,尼龙在自然环境下的老化有可能会导致封装失效,从而影响芯片使用的可靠性,严重时甚至导致芯片的失效,给电力行业带来巨大损失。常规的自然老化和人工加速老化评价周期非常漫长,不同因素对尼龙老化的影响机理十分复杂,且这种影响难以研究,使得评价尼龙的老化稳定性成为一大难题。采用自主开发的原位老化评价系统,对尼龙6（PA6）和尼龙66（PA66）的老化稳定性及湿度对老化的影响进行了研究。该系统可以实现光照/温度/湿度/氧气等环境因素的加载,通过高灵敏度地测定材料在综合环境因素作用下产生的气相降解产物来评价材料的老化稳定性,评价时间缩短到几小时。实验表明,PA6和PA66的气相降解产物以H₂O和CO₂为主,由于H₂O在气相中的浓度不稳定,因此以CO₂的产生量作为老化评价指标。通过对不同自然老化时间PA6和PA66的原位老化评价,并与其ATR-FTIR红外光谱图进行对照,证明了原位老化评价方法能够较好地反映尼龙的老化程度,自然老化时间越长,PA6和PA66的稳定性越低,CO₂的产生量越大。进一步,采用该方法研究了湿度对PA6和PA66老化反应的影响,证明增大湿度对尼龙老化存在促进作用,而且升高温度会进一步促进湿度对老化的促进作用。研究表明,原位老化评价方法是一种快速评价尼龙老化稳定性及环境因素影响的有力手段。     

智能电网超低功耗EPON技术的研究

寻找ONU系统模块功耗过大的原因,从BOB技术、芯片设计技术、休眠机制和芯片集成方面有针对性地提出了降低系统功耗的方案,最后给出了采用新方案的功耗实测结果,实验表明此方案有效降低了ONU模块的功耗。     

一种基于压缩感知的无冗余通道时间交织ADC随机化方法

在时间交织ADC结构中,本文基于压缩感知理论提出一种无冗余通道随机化方法.利用随机数决定当前通道ADC是否采样,当有多个通道ADC空闲时随机选择某个通道进行采样,实现时间交织ADC的欠奈奎斯特随机化采样.在此基础上,基于观测矩阵和正交匹配追踪算法对时间交织ADC的数据进行重建,获得完整的ADC量化结果.通过MATLAB...     

配网自动化EPON/LTE230双模技术的研究

分析了现有配网保护方式的特点,列举了EPON系统与LTE230系统的主要规格,论证了有线与无线系统结合的可行性.针对现有配网双PON保护方式存在的缺陷,提出了EPON有线与LTE230无线相结合的系统方案,并给出了相应的系统运行原理.实测结果表明双模技术满足配网自动化的要求.     

Fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high electronic mobility transistors under off-state overdrive stress

Influences of off-state overdrive stress on the fluorine-plasma treated AlGaN/GaN high-electronic mobility transistors (HEMTs) are experimentally investigated. It is observed that the reverse leakage current between the gate and source decreases after the off-state stress, whereas the current between the gate and drain increases. By analyzing those changes of the reverse currents based on the Frenkel-Poole model, we realize that the ionization of fluorine ions occurs during the off-state stress. Furthermore, threshold voltage degradation is also observed after the off-state stress, but the degradations of AlGaN/GaN HEMTs treated with different F-plasma RF powers are different. By comparing the differences between those devices, we find that the F-ions incorporated in the GaN buffer layer play an important role in averting degradation. Lastly, suggestions to obtain a more stable fluorine-plasma treated AlGaN/GaN HEMT are put forwarded.     

一种智能卡写保护机制的实现

提出一种智能卡写保护的实现方法,该方法将一次数据写入分成两步进行,在保证正常读写功能的同时,重点讨论了如何在意外掉电的情况下完成可靠的写操作。同时利用该机制实现了事务回滚功能,为卡片应用提供了更大的灵活性。通过对已实现系统的掉电测试,分析了应用该方法后的系统性能的变化及对电力业务的影响。     

宽带电力线载波通信芯片的FPGA验证

随着芯片集成度的不断提高,设计复杂度以及验证难度都随之增加,不可避免的造成软硬件开发周期的延长.为了在流片前能够对宽带电力线载波通信芯片进行协议一致性评估,利用软硬件协同的方式提高系统开发效率,文中提出了一种针对此芯片的FPGA原型验证平台,包括数字和模拟两部分.通过对数字部分进行设计移植、验证以及执行自动化工具流程,...