在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10^-7—6×10^-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。     

氧化物阴极激活过程的俄歇能谱分析

本文介绍了一种实验室用的俄歇电子能谱分析装置。利用该装置对氧化物阴极及其活性镍基金属进行了分析研究,观察到激活前后Ba、Sr原子浓度比有明显变化,这种变化与活性Ni中激活剂向表面富集有关。激活好的氧化物阴极表面BaO多于SrO,而且有盈余Ba存在。     

用作无截获栅的石墨碳膜与钽膜的AES研究

栅截获与栅发射是目前栅控行波管最严重的问题之一。本文介绍了用AES对厚度为1μm用作无截获栅材料的石墨碳膜和钽膜进行的实验研究。结果表明,在模拟管子工作条件下,石墨碳膜的逸出功为3.8eV,钽膜的逸出功为4.OeV。建议用钽膜作阴影栅,石墨碳膜作控制栅比较合适。     

清洗质量在线检测的可行性试验

在集成电路的产生过程中,清洗工艺是很重要的.清洗的好坏直接影响生产的成败,所以生产中迫切需要有检测清洗质量的方法.可惜至今没有直接检测清洗后硅片质量的手段.近年来,表面分析技术,特别是SIMS、AES分析技术的进展,促进了这方面的研究,但都没有能达到实用的程度.一些文献中只是报告了不同清洗液、不同清洗工艺清洗后硅片表面洁净度的相对比较,没有达到检出使用同种清洗液、同种清洗工艺的正常生产中,由于操作过程中的微小差异所造成的清洗质量的微小波动.只有检测出这种波动,分析技术     

残余气体对阴极的作用

一、引言氧化物阴极,钡钨浸渍阴极或压制阴极,以及它们的改进型铱膜钡钨浸渍阴极在各种电真空器件中得到了广泛的应用。在真空器件的性能改进和增长寿命问题上、管内残余气氛对阴极性能和寿命的影响,仍然是一个重要因素。不论是化学活泼气体如O_2、H_2O、CO_2等或是例     

两种高逸出功复合膜材料的AES研究

一、引言:现代大功率微波管已普遍采用无截获栅控电子枪。由于阴影栅一般采取紧贴阴极面的结构,而控制栅与阴极的距离又很近,阴极工作时活性物质极易蒸发和迁移到栅极表面使栅发射,栅截获大量增加,严重影响管子的正常工作。为了解决这一问题,我们利用磁控溅射技术,在栅极上溅射上一层或多层高逸出功材料,用以抑制栅发射。本文介绍了在 Mo 栅极上涂敷 Ta—zr、Fe—Zr 两种     

洁净硅片表面初始氧化态的AES研究

已有不少学者研究了常温下洁净硅片表面对氧的吸附和随后发生的硅的自然氧化问题.一九七五年S、I、Raider等人曾用ESCA研究了用HF腐蚀过的洁净硅片表面对氧的吸附.他们发现用ESCA所测得的表面氧大部分是吸附的,而不是处于化合状态.C.M.Car-ner等人的研究也认为洁净硅片表面所覆盖     

在p~+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10~(-7)—6×10~(-7)Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。