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以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。 相似文献
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利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点, 用短链乙醇胺替代长链油酸做为PbS量 子点的配体。 对比了由两种材料制得的量子点薄膜与Al形成的肖特基结的J-V特性,采用热 电子发射理论对其J-V特 性进行分析,结果发现,接有短链乙醇胺的PbS量子点薄膜具有更优的整流特 性,理想因子n为3.8,明显低 于采用油酸配体的PbS量子点(n=4.6)。 研究表明,短链配体有利于提高PbS薄膜表面的均匀性并形成较好的肖 特基接触;短链置换过程提高了量子点薄膜与Al电极的接触势垒高度,使肖特基结反向 漏电流降低。 相似文献
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本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm, 长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列, 引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰, 分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene) (P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件. 通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压, 串联电阻, 反向漏电流及整流比等参数, 认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低, 整流比显著增强, 展现出更优异的电子传输性能. 光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米 棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制, 弱化了电场激发下的载流子陷获, 改善了器件的导电特性.
关键词：
ZnO纳米棒阵列
表面修饰
电流-电压特性 相似文献
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