张量U-特征值的区间估计

张量的特征值问题一直是张量研究中的热点话题.聚焦一般张量在复数域上的特征值问题,建立了三种张量的U-特征值的区间估计,并对三种区间估计进行比较,以此建立了三者之间的联系.     

三核N-杂环卡宾-钯(Ⅱ)化合物催化芳基氯化物的Buchwald-Hartwig胺化反应研究

三核N-杂环卡宾-钯(Ⅱ)化合物可以作为芳基氯化物参与的Buchwald-Hartwig胺化反应的有效催化剂前体.在催化剂用量为2.0 mol%的条件下,环状仲胺、芳香伯胺和伯胺与多种芳基氯化物均能顺利地发生胺化反应,以中等至优秀的收率得到目标产物.     

改变表面性质技术在光刻中的应用

一、引言在采用光刻的微细加工工艺中,抗蚀剂与衬底之间的粘附性是影响加工精度的重要因素。以前为了提高粘附性,对抗蚀剂涂复前的清洗、干燥、显影后的烘焙条件等进行了详细的研究。在这里,以多晶硅、二氧化硅为主,有意地控制这些表面性质的所谓改变表面性质技术应用于光刻当中,从界面化学的角度,发表了对粘附性研究的结果。     

等离子体腐蚀

一、引言最近,气体等离子体处理技术进一步发展,正在研究此项技术在大规模集成电路制作工艺中的应用。在 CF_4气体等离子体腐蚀中,硅、多晶硅、二氧化硅这样的硅系化合物,是由通过低温等离子体放电激励的氟原子而进行腐蚀的。这种腐蚀方法具有如下很多优点:(1)与一般的溶液腐蚀完全相同,可以使用光致抗蚀剂作为腐蚀时的保护层。(2)在一定的压力,一定的输出功率下,腐蚀速度是一定值。     

硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。     

采用气体等离子体制作掩模

一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。     

湖北省历史干湿气候的世纪振动及其比较

采用干湿指数方法对近２０００ 年来湖北干湿气候变化进行了分析．结果发现本地区的气候湿润状况波动明显,气候的相对干燥与湿润大致以２ 个世纪为周期反复交替出现．近代尽管水旱灾害频繁,但仍属于近２０００年来气候演变过程中的正常振动,气候的干湿状况总体上维持在一个比较正常的水平上．湖北气候干湿变化与我国海河流域的干湿变化具有较好的一致性．同世界其它地区相比,与北美西部更接近些,与欧洲和非洲的同步性则并不明显．     

大规模集成电路制造中的净化技术

一绪言大规模集成电路的实现,给电通信和计算机生产部门等带来的影响,无疑具有革命的因素,这已为许多人所关注,并寄与极大的期望。然而,这仅是就大规模集成电路的利用方面而言的,从制造技术的角度来看,与普通的半导体制造技术相比,就不一定非建立起系统完全不同的新技术不可。即认为,除去有关工艺的干式化、使用电子束和X射线等曝光方式需另行研究之外,其他工艺主要的是在原有半导体制造技术的基础上加以发展就可以了。     

基于分数阶最大相关熵算法的混沌时间序列预测

为提高最大相关熵算法对混沌时间序列的预测速度和精度,提出了一种新的分数阶最大相关熵算法.在采用最大相关熵准则的基础上,利用分数阶微分设计了一种新的权重更新方法.在alpha噪声环境下,采用新的分数阶最大相关熵算法对Mackey-Glass和Lorenz两类具有代表性的混沌时间序列进行预测,并分析了分数阶的阶数对混沌时间序列预测性能的影响.仿真结果表明:与最小均方算法、最大相关熵算法以及分数阶最小均方算法三类自适应滤波算法相比,所提分数阶最大相关熵算法在混沌时间序列预测中能够有效地抑制非高斯脉冲噪声干扰的影响,具有较快收的敛速度和较低的稳态误差.